[发明专利]缺陷检测装置和缺陷检测方法

说明书

技术领域

本发明涉及对在半导体装置的制造中使用的半导体晶片和在液晶显示装置的制造中使用的玻璃基板等检查对象物的表面上存在的缺陷进行检测的缺陷检测装置和缺陷检测方法。

本专利申请根据于2007年2月19日在日本申请的日本特願2007-038214号要求优先权，并将其内容引用于此。

背景技术

在半导体装置等的制造工序中，对涂布在半导体晶片等基板上的抗蚀膜等的膜不均匀、杂物、污垢、损伤等缺陷进行检查。通常，对晶片整个面的缺陷检测的图像处理耗费时间，因而希望能以短时间进行缺陷检查。

例如，在日本特许申请公开9-64130号中记载了一种以短时间进行缺陷检查的以下技术。即，在利用晶片输送装置使半导体晶片移动的同时，CCD行传感器同时扫描多个芯片来同时取得多个芯片的图像信息，CCD行传感器的输出信号作为图像数据由缓冲存储器临时保持。然后，处理装置在进行缺陷分析时，同时将从缓冲存储器输出的各芯片的图像数据与标准图形进行比较，检测各芯片中有无缺陷。

但是，在以往的检查中，由于依次进行全部规定的处理，因而在检查的后半部分发现使制造步骤的后续步骤不能进行的规定尺寸以上的大缺陷的情况等下，中途之前的缺陷检测的图像处理白白浪费，存在耗费检查时间的问题。

发明内容

本发明是鉴于这一点而完成的，其目的是提供能应对有规定尺寸以上的大缺陷的情况而缩短检查时间的缺陷检测装置和缺陷检测方法。

本发明是为了解决上述课题而完成的，本发明是一种缺陷检测装置，其特征在于，该缺陷检测装置包含：一次缺陷检测单元，其执行检测检查对象物上有无规定尺寸以上的大缺陷的一次缺陷检测处理；二次缺陷检测单元，其执行使用上述检查对象物的图像数据来检测上述检查对象物上的缺陷的二次缺陷检测处理；以及处理控制单元，其控制上述一次缺陷检测处理和上述二次缺陷检测处理的执行；上述处理控制单元在上述二次缺陷检测处理开始前在上述一次缺陷检测处理中检测出上述大缺陷的情况下，省略上述二次缺陷检测处理，或者在上述二次缺陷检测处理开始后在上述一次缺陷检测处理中检测出上述大缺陷的情况下，中途结束上述二次缺陷检测处理。

并且，本发明是一种缺陷检测方法，该缺陷检测方法执行：一次缺陷检测处理，其检测检查对象物上有无规定尺寸以上的大缺陷；以及二次缺陷检测处理，其使用上述检查对象物的图像数据来检测上述检查对象物上的缺陷；上述缺陷检测方法的特征在于，在上述二次缺陷检测处理开始前在上述一次缺陷检测处理中检测出大缺陷的情况下，省略上述二次缺陷检测处理，或者在上述二次缺陷检测处理开始后在上述一次缺陷检测处理中检测出上述大缺陷的情况下，中途结束上述二次缺陷检测处理。

根据本发明，在一次缺陷检测处理中检测出给后期工序带来影响的大缺陷的情况下，省略二次缺陷检测处理，或者途中结束二次缺陷检测处理，从而可应对有规定尺寸以上的大缺陷的情况来缩短检查时间。

关于本发明的上述和其他目的、作用、效果等，本领域普通技术人员从附图和本发明的实施方式的记载中将会明白。

附图说明

图1是示出根据本发明的第1实施方式的基板检查系统的结构的框图。

图2是示出根据本发明的第1实施方式的基板检查系统的动作步骤的流程图。

图3是示出本发明的第1实施方式中的设定画面的参考图。

图4是示出本发明的第1实施方式中的合格品图像的覆盖状况的参考图。

图5是示出本发明的第1实施方式中的二次缺陷检测处理步骤的流程图。

图6是示出根据本发明的第2实施方式的基板检查系统的结构的框图。

图7是示出根据本发明的第2实施方式的基板检查系统的动作步骤的流程图。

图8是示出根据本发明的第3实施方式的基板检查系统的动作步骤的流程图。

图9是示出本发明的第3实施方式中的设定画面的参考图。

图10是示出本发明的第3实施方式中的设定画面的参考图。

图11是示出本发明的第3实施方式中的二次缺陷检测处理步骤的流程图。

图12是示出根据本发明的第4实施方式的基板检查系统的动作步骤的流程图。

图13是示出本发明的第4实施方式中的设定画面的参考图。

图14是示出本发明的第4实施方式中从倾斜方向拍摄晶片后的图像的参考图。

图15是示出本发明的第4实施方式中的图像转换处理步骤的流程图。

图16是用于说明本发明的第4实施方式中的像素数削减方法的参考图。