[发明专利]电阻式存储器及其制造方法

权利要求书

1.一种电阻式存储器，包括：

基板；

第一信号线，设置于该基板上，该第一信号线具有第一表面；

存储单元，具有第二表面，该存储单元通过该第二表面接触该第一表面与该第一信号线耦接；以及

第二信号线，设置于该存储单元上并耦接该存储单元，其中该第二表面的面积实质上大于或等于该第一信号线与该第二信号线重叠区域的面积。

2.如权利要求1所述的电阻式存储器，其中该第一信号线包括：

阻隔层；

金属层，设置于该阻隔层上。

3.如权利要求2所述的电阻式存储器，其中该阻隔层的材料为氮化钛，该金属层的材料为钨。

4.如权利要求1所述的电阻式存储器，其中该存储单元的材料为氧化钨。

5.一种电阻式存储器的制造方法，包括：

(a)形成第一导电材料层于基板上；

(b)蚀刻该第一导电材料层成为一具有第一表面的第一信号线；

(c)形成一具有第二表面的存储材料层，该存储材料层并通过该第一表面接触该第二表面与该第一信号线耦接；

(d)形成第二导电材料层与该存储材料层耦接；以及

(e)蚀刻该第二导电材料层，以形成第二信号线，其中该第二表面的面积实质上大于或等于该第一信号线与该第二信号线重叠区域的面积。

6.如权利要求5所述的制造方法，其中该步骤(a)还包括形成一具有第一线型图案的第一图案化掩模于该第一导电材料层上，该步骤(e)还包括形成一具有第二线型图案的第二图案化掩模于该第二导电材料层上，且该第一线型图案与该第二线型图案实质上相互垂直。

7.如权利要求5所述的制造方法，其中步骤(a)包括：

沉积可导电的第一阻隔材料层于该基板上；以及

沉积第一金属材料层于该第一阻隔材料层上，以形成该第一导电材料层。

8.如权利要求7所述的制造方法，其中该第一阻隔材料层为氮化钛。

9.如权利要求5所述的制造方法，其中步骤(b)包括：

形成硬掩模材料层于该第一导电材料层上；

形成光致抗蚀剂材料层于该硬掩模材料层上；

图案化该光致抗蚀剂材料层成为第一图案化光致抗蚀剂层；

蚀刻该硬掩模材料层成为该第一图案化掩模；以及

去除该第一图案化光致抗蚀剂层。

10.如权利要求9所述的制造方法，其中去除该第一图案化光致抗蚀剂层的该步骤后还包括：

削减该第一图案化掩模。

11.如权利要求9所述的制造方法，其中该硬掩模材料层为氮化物或氧化物。

12.如权利要求5所述的制造方法，其中该步骤(b)包括：

形成光致抗蚀剂材料层于该第一导电材料层上；以及

图案化该光致抗蚀剂材料层成为该第一图案化掩模。

13.如权利要求12所述的制造方法，其中图案化该光致抗蚀剂材料层的该步骤后还包括：

削减该第一图案化掩模。

14.如权利要求5所述的制造方法，其中该步骤(i)包括：

形成硬掩模材料层于该第二导电材料层上；

形成光致抗蚀剂材料层于该硬掩模材料层上；

图案化该光致抗蚀剂材料层成为第二图案化光致抗蚀剂层；

蚀刻该硬掩模材料层成为该第二图案化掩模；以及

去除该第二图案化光致抗蚀剂层。

15.如权利要求14所述的制造方法，其中去除该第二图案化光致抗蚀剂层的该步骤后还包括：

削减该第二图案化掩模。

16.如权利要求5所述的制造方法，其中步骤(i)包括：

形成光致抗蚀剂材料层于该第二导电材料层上；以及

图案化该光致抗蚀剂材料层成为该第二图案化掩模。

17.如权利要求16所述的制造方法，其中图案化该光致抗蚀剂材料层的该步骤后还包括：

削减该第二图案化掩模。