[发明专利]衬底抛光方法有效
| 申请号： | 200810081220.6 | 申请日： | 2004-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN101241843A | 公开（公告）日： | 2008-08-13 |
| 发明（设计）人： | 户川哲二;锅谷治 | 申请（专利权）人： | 株式会社荏原制作所 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/304;B24B1/00;B24B55/00;B24B49/16;B24B37/04;B24B29/00 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 刘炳胜 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 衬底 抛光 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种衬底抛光方法，包括：
经由多个流体通道将流体提供给多个压力室；
将多个传感器分别设置在所述多个流体通道中，用于检测流过所述多个流体通道的所述流体的流动状态；
当在所述多个流体通道的两个相邻流体通道中的二个所述传感器检测到所述流体的固定流动方向时，则判断为发生流体泄露并停止抛光所述衬底。
2、如权利要求1所述的衬底抛光方法，其中
所述两个相邻流体通道将所述流体提供给所述多个压力室中的二个相邻且具有不同压力的压力室，由此所述判断步骤判断所述流体泄漏发生在所述二个压力室的界面处。
3、如权利要求2所述的抛光方法，其中所述传感器进一步检测所述流体的流量，
当所述两个相邻流体通道中的所述二个传感器检测到所述流体的固定流动方向和流量时，则判断为所述压力室的隔板损坏。
4、如权利要求1所述的抛光方法，其中，所述固定流动方向是彼此相反的方向。
5、如权利要求1所述的抛光方法，其中，所述固定流动方向是彼此相反的方向，以及所述固定流量彼此相同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
