[发明专利]电光装置及其制造方法和电子设备无效
申请号: | 200810081208.5 | 申请日: | 2008-02-19 |
公开(公告)号: | CN101252135A | 公开(公告)日: | 2008-08-27 |
发明(设计)人: | 小山田晋 | 申请(专利权)人: | 精工爱普生株式会社 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/84;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 | 代理人: | 李峥;于静 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电光 装置 及其 制造 方法 电子设备 | ||
技术领域
本发明涉及液晶装置等电光装置及其制造方法和例如液晶投影仪等电子设备的技术领域。
背景技术
在这种电光装置中,例如在一对基板间封入了液晶等电光物质。在一对基板中的元件基板上的显示区域中,通过层间绝缘膜以层叠结构制作了像素电极、用于进行该像素电极的选择性驱动的扫描线、数据线和作为像素开关用元件的TFT(Thin Film Transistor),形成可以进行有源矩阵驱动的结构。此外,在元件基板上的显示区域周围的周边区域,以层叠结构制作了扫描线驱动电路、数据线驱动电路等各种电路及图像信号线等各种布线。另外,以高对比度化等为目的,通常在TFT与像素电极间设置了存储电容。这样的存储电容,在各像素的非开口区域内由扫描线及数据线、晶体管等构成。
关于这样的存储电容,在例如专利文献1中,公开了通过利用隔离绝缘膜增大下侧电极的端面与上侧电极的端面的层间距离而防止在上下电极的端面间发生电流泄漏(以下,称为「端面泄漏」)的技术。
另外,为了降低电光物质的取向状态发生紊乱的可能性,对由上述层叠结构引起的在元件基板的表面发生的凹凸,大多进行化学的研磨处理等平坦化处理。
[专利文献1]特开2006-276118号公报
但是,上述隔离绝缘膜例如对在非开口区域形成的各存储电容设置而在开口区域不设置时,将由于隔离绝缘膜的膜厚而增大非开口区域与开口区域间的元件基板上的段差,所以,存在难于将元件基板的表面均匀地平坦化的技术难题。
发明内容
本发明就是鉴于例如上述问题而提出的,目的旨在提供可以提高基板表面的平坦性从而可以进行高品位的图像显示的电光装置及其制造方法和具有该电光装置的电子设备。
为了解决上述问题,本发明的电光装置的特征在于,在基板上具有:多个像素电极;晶体管,其设置在将各该像素电极的开口区域相互隔开的非开口区域,与上述像素电极电气连接;存储电容,其至少隔着一层层间绝缘膜配置在上述像素电极的下层侧,设置在上述非开口区域,并由下侧电极、电介质膜和上侧电极顺序层叠而成,上述下侧电极具有,在上述基板上从平面看与上述上侧电极重叠的下侧电极本体部和从该下侧电极本体部的一部分以与上述上侧电极不重叠的方式延伸的下侧电极延伸部;隔离绝缘膜,其配置在上述下侧电极的基底面的上层侧并且上述上侧电极的下层侧,在上述基板上从平面看,在包含上述下侧电极本体部和上述下侧电极延伸部的边界的区域中,以除了上述下侧电极本体部的上述一部分外不与其他部分重叠的方式形成;和第1虚设图形,其设置在上述开口区域,由与上述隔离绝缘膜相同的膜构成。
按照本发明的电光装置,在其动作时,例如,选择与扫描线电气连接的各像素的晶体管进行驱动时,例如通过晶体管将从数据线供给的数据信号(例如图像信号)加到像素电极上,可以进行有源矩阵驱动。这时,利用存储电容,可以提高像素电极的电位保持特性,从而可以实现显示的高对比度化。
这里,晶体管、存储电容和例如数据线、扫描线等各种布线,在基板上从平面看,设置在将各像素电极(即与像素电极对应的各像素)的开口区域(即,在各像素中透过或反射对显示实际有贡献的光的区域)相互隔开的非开口区域内。即,晶体管、存储电容和各种布线,为了不妨碍显示,不是设置在各像素的开口区域,而是设置在非开口区域。
在本发明中,对存储电容,设置了隔离绝缘膜。构成存储电容的下侧电极具有在基板上从平面看与上侧电极重叠的下侧电极本体部和从该下侧电极本体部的一部分与上侧电极不重叠地延伸的下侧电极延伸部。隔离绝缘膜配置在上述下侧电极的基底面的上层侧及上述上侧电极的下层侧,在上述基板上从平面看在包含上述下侧电极本体部和上述下侧电极延伸部的边界的区域中除了上述下侧电极本体部的上述一部分外,不与其他部分重叠。即,隔离绝缘膜在典型的基板上的层叠结构的上侧电极和下侧电极间形成使下侧电极本体部的一部分与下侧电极延伸部重叠(即,包含下侧电极本体部与下侧电极延伸部的边界)。此外,隔离绝缘膜除了下侧电极本体部的一部分外,不与其他部分重叠。即,在基板上的层叠结构的下侧电极本体部的其他部分与上侧电极间形成电介质膜,但是,不形成隔离绝缘膜。即,下侧电极本体部的其他部分实际上是作为电容电极起作用的部分。隔离绝缘膜只要在基板上的层叠结构的上侧电极与下侧电极间形成就行,可以配置在电介质膜的上层侧,也可以配置在电介质膜的下层侧。另外,也可以具有从在基板上的层叠结构的上侧电极和下侧电极间形成的部分与下侧电极不重叠地在下侧电极的基底面上延伸的部分。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的