[发明专利]有机发光器件、其制造方法以及形成有机层的方法有效
申请号: | 200810081061.X | 申请日: | 2008-02-19 |
公开(公告)号: | CN101252171A | 公开(公告)日: | 2008-08-27 |
发明(设计)人: | 尹智焕 | 申请(专利权)人: | 三星SDI株式会社 |
主分类号: | H01L51/50 | 分类号: | H01L51/50;H01L51/52;H01L51/56;H01L51/00 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 刘冬;李炳爱 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 发光 器件 制造 方法 以及 形成 | ||
1.一种有机发光器件,所述器件包括:
基板;
在基板上的第一电极;
面向第一电极的第二电极;和
在第一电极和第二电极之间且包括发光层和电子传输层的有机层,
其中发光层包括发红光层、发绿光层和发蓝光层,和
其中电子传输层包括第一电子传输层和第二电子传输层,第一电子传输层包括在发红光层上且具有与发红光层基本相同图案的第一层、在发绿光层上且具有与发绿光层基本相同图案的第二层或在发蓝光层上且具有与发蓝光层基本相同图案的第三层中的至少一层;第二电子传输层在第一电子传输层上相对于红色、绿色和蓝色子像素为公用层。
2.权利要求1的有机发光器件,其中第一电子传输层包括所述第一层、所述第二层和所述第三层。
3.权利要求1的有机发光器件,其中所述第一层在发红光层上,且第二电子传输层在所述第一层上;所述第二层在发绿光层上,且第二电子传输层在所述第二层上;所述第三层在发蓝光层上,且第二电子传输层在所述第三层上。
4.权利要求1的有机发光器件,其中所述第一层、所述第二层和所述第三层的厚度彼此基本相同。
5.权利要求1的有机发光器件,其中所述第一层与第二电子传输层的厚度比、所述第二层与第二电子传输层的厚度比以及所述第三层与第二电子传输层的厚度比为约1∶9-约4∶6。
6.权利要求1的有机发光器件,其中所述有机层还包括空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层或电子注入层中的至少一层。
7.一种制造有机发光器件的方法,所述方法包括:
在基板上形成第一电极;
在第一电极上形成包括发光层和电子传输层的有机层;和
在所述有机层上形成第二电极,
其中发光层包括发红光层、发绿光层和发蓝光层,
其中电子传输层包括第一电子传输层和第二电子传输层,第一电子传输层包括在发红光层上且具有与发红光层基本相同图案的第一层、在发绿光层上且具有与发绿光层基本相同图案的第二层和在发蓝光层上且具有与发蓝光层基本相同图案的第三层中的至少一层;第二电子传输层在第一电子传输层上相对于红色、绿色和蓝色子像素为公用层,并且
其中形成所述有机层包括:a)形成发光层和第一电子传输层,形成发光层和第一电子传输层包括至少以下之一:在用于形成发红光层的第一沉积室中形成发红光层随后形成所述第一层;在用于形成发绿光层的第二沉积室中形成发绿光层随后形成所述第二层;或在用于形成发蓝光层的第三沉积室中形成发蓝光层随后形成所述第三层,和b)在第一电子传输层上形成相对于红色、绿色和蓝色子像素为公用层的第二电子传输层。
8.权利要求7的方法,其中利用用于形成发红光层的掩模形成所述第一层。
9.权利要求7的方法,其中利用用于形成发绿光层的掩模形成所述第二层。
10.权利要求7的方法,其中利用用于形成发蓝光层的掩模形成所述第三层。
11.权利要求7的方法,其中在发红光层上依次形成所述第一层和第二电子传输层,在发绿光层上依次形成所述第二层和第二电子传输层,在发蓝光层上依次形成所述第三层和第二电子传输层。
12.权利要求7的方法,其中所述第一层、所述第二层和所述第三层的厚度彼此基本相同。
13.权利要求7的方法,其中所述第一层与第二电子传输层的厚度比、所述第二层与第二电子传输层的厚度比以及所述第三层与第二电子传输层的厚度比为约1∶9-约4∶6。
14.权利要求7的方法,其中形成有机层还包括形成空穴注入层、空穴传输层、空穴阻挡层或电子注入层中的至少一层。
15.一种形成有机层的方法,所述方法包括:
在第一室中由第一有机材料形成第一有机层;
在第一室中由第二有机材料在第一有机层上形成第二有机层;和
在第二室中由第二有机材料在第二有机层上形成第三有机层。
16.权利要求15的方法,其中第一、第二和第三有机层布置在有机发光器件的一对电极之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择