[发明专利]高电压垂直晶体管的分段式柱布局

权利要求书

1.一种晶体管装置，包括：

设置在管芯上的多个晶体管段，每个晶体管段具有跑道形状，所述跑道形状具有沿第一横向伸长的长度和沿第二横向的宽度，每个晶体管段包括：

半导体材料柱，所述柱包括延伸漏极区，所述延伸漏极区通过所述管芯沿垂直方向延伸；

分别设置在所述柱的相对侧上的第一和第二介电区域，所述第一介电区域由所述柱横向包围，并且所述第二介电区域横向包围所述柱；

分别设置在所述第一和第二介电区域中的第一和第二场板；

其中所述晶体管段被设置成多个部分，第一部分包括沿第二横向设置成并排关系的第一行晶体管段，以及第二部分包括沿第二横向设置成并排关系的第二行晶体管段，并且

其中第一部分的每个晶体管段的第二介电区域与第二部分的每个晶体管段的第二介电区域合并。

2.根据权利要求1所述的装置，其中每个第二介电区域以沿第一横向包围晶体管段的柱的圆形端终结于每个端处。

3.根据权利要求1所述的装置，其中第一和第二场板中的每个与所述延伸漏极区完全绝缘，第一场板由所述柱中的相应柱横向包围，并且第二场板横向包围所述柱中的相应柱。

4.根据权利要求1所述的装置，其中第一和第二部分的晶体管段沿第一横向被多个半导体材料伪柱分开，每个伪柱中心分别位于第一和第二部分的第一和第二相邻成对的晶体管段的圆形端之间。

5.根据权利要求1所述的装置，其中所述第一和第二部分中的晶体管段的长度和宽度之比在30到80的范围内。

6.根据权利要求1所述的装置，其中第一和第二部分均沿第二横向基本跨越管芯的宽度延伸，第一部分和第二部分附加地沿第一横向基本跨越管芯的长度延伸。

7.根据权利要求1所述的装置，其中所述柱中每个进一步包括在所述管芯的顶表面附近设置的源极区，和将所述源极区与所述延伸漏极区垂直地分开的本体区。

8.根据权利要求7所述的装置，进一步包括与所述本体区相邻的在第一和第二介电区域中设置的栅极，所述栅极与所述本体区和所述第一和第二场板绝缘。

9.一种晶体管装置，包括：

设置在管芯上的多个晶体管段，每个晶体管段具有跑道形状，所述跑道形状具有沿第一横向伸长的长度和沿第二横向的宽度，每个晶体管段包括：

半导体材料柱，所述柱包括延伸漏极区，所述延伸漏极区通过所述管芯沿垂直方向延伸；

分别设置在所述柱的相对侧上的第一和第二介电区域，所述第一介电区域由所述柱横向包围，并且所述第二介电区域横向包围所述柱；

分别设置在所述第一和第二介电区域中的第一和第二场板；

其中所述晶体管段被设置成多个部分，第一部分的晶体管段沿第一横向相对于第二部分的晶体管段移动，且第一部分的一行的每个晶体管段被第二部分的一对晶体管段分开，第二部分的该对晶体管段沿第一横向设置成端到端的关系，第一和第二部分中的交替的晶体管段的第二介电区域被合并。

10.根据权利要求9所述的装置，其中所述柱中的每个进一步包括在所述管芯的顶表面附近设置的源极区，和将所述源极区与所述延伸漏极区垂直地分开的本体区。

11.根据权利要求10所述的装置，进一步包括与所述本体区中的每个相邻的在第一和第二介电区域的每个中设置的栅极，所述栅极与所述本体区和所述第一和第二场板绝缘。

12.根据权利要求9所述的装置，其中第一部分的晶体管段沿第一横向相对于第二部分的晶体管段移动了所述长度的百分比。

13.根据权利要求9所述的装置，其中第一和第二部分的晶体管段的第二场板在第一横向上沿长度被合并。

14.根据权利要求9所述的装置，其中所述柱中的每个沿第一和第二横向延伸以形成跑道形环或椭圆。

15.根据权利要求9所述的装置，其中第一和第二场板中的每个与所述延伸漏极区完全绝缘，第一场板中的每个由所述柱中的相应柱横向包围，并且第二场板中的每个横向包围所述柱中的相应柱。

16.根据权利要求10所述的装置，进一步包括沟槽栅极结构，其包括分别设置在所述第一和第二介电区域中的每个中在所述柱中的每个的顶部附近与所述本体区中的相应本体区相邻的第一和第二栅极元件。