[发明专利]一种电子级二氧化硅的制备方法无效
| 申请号： | 200810079802.0 | 申请日： | 2008-11-12 |
| 公开（公告）号： | CN101475181A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 张原僖;周日升;庚廷瑞;赵建卿;梁建强;王洁 | 申请（专利权）人： | 山西天一纳米材料科技有限公司 |
| 主分类号： | C01B33/18 | 分类号： | C01B33/18 |
| 代理公司： | 山西太原科卫专利事务所 | 代理人： | 温彪飞;赵晓云 |
| 地址： | 030600山西*** | 国省代码： | 山西;14 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电子 二氧化硅 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种电子级二氧化硅的制备方法，其特征在于包括如下工艺步骤：
①将含铁量小于或等于5PPM、重量百分浓度为8-15％的水玻璃液体置于反应釜内，常温、常压及搅拌条件下，以1-6立方/小时的流速向反应釜内加入浓度为25-35％的稀硫酸至釜内液体pH值＝1，得反应物为硫酸钠Na2SO4及硅酸H2SiO4胶体与水的混合物；
②将釜内反应物移入真空抽滤筒用纯水进行洗涤除去硫酸钠，得到硅酸胶体与水的混合物；
③将洗涤后的硅酸胶体与水的混合物进行离心脱水，使其中硅酸胶体含量达到35％以上；
④将离心脱水后的硅酸胶体用微波干燥使硅酸脱去分子水及外部游离水份，至含游离水小于5％，得高纯二氧化硅粉体。
2、按照权利要求1的一种电子级二氧化硅的制备方法，其特征在于步骤②中所得产物硅酸胶体与水的混合物的电导率为35-40μs/cm，所述的洗涤用纯水的电导率为25-40μs/cm。
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