[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：

沟道层，包括氧化物半导体材料；

源电极和漏电极，在所述沟道层上方相互面对；

保护层，在所述源电极和所述漏电极下面并覆盖所述沟道层；

栅电极，配置为向所述沟道层施加电场；和

栅极绝缘层，夹置在所述栅电极和所述沟道层之间，

其中，除了所述沟道层的接触所述源电极和所述漏电极的部分之外，所 述沟道层被所述保护层完全覆盖，

其中所述保护层具有哑铃形状，该哑铃形状具有中心部分和设置在该中 心部分的两端的扩大部分，所述扩大部分的宽度大于所述沟道层的宽度，使 得所述沟道层的除了上表面的两端的中心区域之外的整个区域被所述保护 层覆盖。

2.权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述沟道层是ZnO基材料层。

3.权利要求2所述的薄膜晶体管，其中所述沟道层是

a(In₂O₃)·b(Ga₂O₃)·c(ZnO)层，其中a、b和c是实数使得a≥0、b≥0和c＞0。

4.权利要求3所述的薄膜晶体管，其中所述沟道层是

a(In₂O₃)·b(Ga₂O₃)·c(ZnO)层，其中a、b和c是实数使得a≥1、b≥1和0＜c≤1。

5.权利要求1所述的薄膜晶体管，其中

所述保护层提供接触区域，和

所述沟道层在所述接触区域接触所述源电极和所述漏电极。

6.权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述保护层是从包括氧化硅层和 氮化硅层的组中选出的至少之一。

7.权利要求1所述的薄膜晶体管，还包括：

欧姆接触层，在所述沟道层和所述源电极之间以及在所述沟道层和所述 漏电极之间。

8.权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述栅电极在所述沟道层上方。

9.权利要求1所述的薄膜晶体管，其中所述栅电极在所述沟道层下方。

10.一种制造薄膜晶体管的方法，包括：

形成包括氧化物半导体材料的沟道层以及覆盖所述沟道层的保护层；

形成源电极和漏电极，所述源电极和所述漏电极相互面对并与所述沟道 层的两个区域接触；

形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层覆盖所述保护层、所述源电极和所述 漏电极；以及

在所述沟道层上方的所述栅极绝缘层上形成栅电极，

其中，除了所述沟道层的接触所述源电极和所述漏电极的部分之外，所 述沟道层被所述保护层完全覆盖，

其中所述保护层具有哑铃形状，该哑铃形状具有中心部分和设置在该中 心部分的两端的扩大部分，所述扩大部分的宽度大于所述沟道层的宽度，使 得所述沟道层的除了上表面的两端的中心区域之外的整个区域被所述保护 层覆盖。

11.权利要求10所述的方法，其中所述沟道层是ZnO基材料层。

12.权利要求10所述的方法，其中

所述保护层提供接触区域，和

所述沟道层在所述接触区域接触所述源电极和所述漏电极。

13.权利要求10所述的方法，其中形成所述沟道层和所述保护层包括：

在基板上沉积氧化物半导体材料膜；

通过对所述氧化物半导体材料膜构图形成所述沟道层；

在所述基板和所述沟道层上沉积保护材料膜；和

通过对所述保护材料膜构图形成所述保护层。

14.权利要求13所述的方法，其中

所述保护材料膜构图为提供接触区域的形状，和

所述沟道层在所述接触区域接触所述源电极和所述漏电极。