[发明专利]稀土掺杂Sn-Te基稀磁半导体高致密度块体材料的制备方法无效
| 申请号： | 200810073890.3 | 申请日： | 2008-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN101521074A | 公开（公告）日： | 2009-09-02 |
| 发明（设计）人： | 湛永钟;马建波;张广华 | 申请（专利权）人： | 广西大学 |
| 主分类号： | H01F1/40 | 分类号： | H01F1/40;C22C1/05 |
| 代理公司： | 广西南宁公平专利事务所有限责任公司 | 代理人： | 黄永校 |
| 地址： | 530004广西壮族*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 稀土 掺杂 sn te 基稀磁 半导体 致密 块体 材料 制备 方法 | ||
1.制备稀土掺杂Sn-Te基块体稀磁半导体材料的方法，其特征在于，所述方法采用的 原料组分及用量(重量份)如下：
稀土元素 1～10
金属Sn 40～47
金属Te 50～52
按上述原料组分及用量制备稀土掺杂Sn-Te基块体稀磁半导体材料的方法如下：
(1)依据稀土-Sn-Te三元合金相图，计算出要制备的稀磁半导体材料的原料配比，然 后将所述原料混合均匀；
(2)将(1)所得混合料真空封装进石英管中，放进高温箱式电阻炉中于500～600℃保 温1～3个小时，再用高频炉熔炼，然后把熔炼好的材料研磨成粉末，经高温烧结即得到块 体稀磁半导体材料。
2.根据权利要求1所述的制备稀土掺杂Sn-Te基块体稀磁半导体材料的方法，其特征 在于，所述稀土元素为镧系金属。
3.根据权利要求1所述的制备稀土掺杂Sn-Te基块体稀磁半导体材料的方法，其特征 在于，若稀土元素的掺杂量在1～6％，则将(1)所得混合料真空封装进石英管中，放进高温 箱式电阻炉中于500～600℃保温1～3个小时，再用高频炉熔炼，直接得到稀磁半导体材料。
4.根据权利要求1所述的制备稀土掺杂Sn-Te基块体稀磁半导体材料的方法，其特征 在于，所述稀土元素为轻稀土元素，并且所述石英管为内壁镀有石墨的石英管。
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