[发明专利]一种复相NTC热敏陶瓷及其制备方法无效

专利信息
申请号: 200810073872.5 申请日: 2008-10-31
公开(公告)号: CN101402523A 公开(公告)日: 2009-04-08
发明(设计)人: 刘心宇;黄晋;袁昌来;杨华斌 申请(专利权)人: 桂林电子科技大学
主分类号: C04B35/457 分类号: C04B35/457;C04B35/622
代理公司: 桂林市华杰专利事务所有限责任公司 代理人: 罗玉荣
地址: 541004广*** 国省代码: 广西;45
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摘要:
搜索关键词: 一种 ntc 热敏 陶瓷 及其 制备 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及NTC热敏陶瓷,具体是一种复相NTC热敏陶瓷及其制备方法。

背景技术

NTCR(Negative Temperature Coefficient Thermistor)即负温度系数热敏电阻器件,其电阻随 温度的升高而减小。NTC热敏电阻一般是用过渡金属氧化物半导体陶瓷材料制成,电阻率随 着温度的升高而呈指数减小,是理想的温度传感器材料。NTC热敏陶瓷材料种类众多,根据 组成可分为氧化物系和非氧化物系,结构可为尖晶石型、钙钛矿型、萤石型、金红石型等。 NTC热敏陶瓷的主要用途有温度补偿、抑制浪涌电流、温度检测和自动增益调整等。

但是对于过渡族金属氧化物体系,为了使其成为半导体陶瓷,一般要在1300℃或者更高 的温度下烧结,因而具有如下缺点:能源消耗大,窑炉维护成本高且容易损坏。并且,传统 NTC热敏陶瓷中原料中的Cu、Ni、Co等过渡族金属氧化物和稀土氧化物在自然界中含量较 低,开发成本较高,对应提高了NTC热敏陶瓷的成本。因此需要一种能够在较低温度下烧结 的成本相对较低的半导体陶瓷作为替代。

发明内容

本发明的目的是为克服现有技术的不足,而提供一种同时具有较高材料常数B值和较低 室温电阻率,且成本低、工艺简单的复相NTC热敏陶瓷及其制备方法。

实现本发明的技术方案是:

它以BaCO3、SnO2和Bi2O3为主要原料,分别合成具有钙钛矿结构的BaSnO3和BaBiO3化合物,经球磨混合均匀后烧结,形成复相半导体陶瓷,其成分可以用通式 100BaSnO3-xBaBiO3来表示,其中x表示摩尔分数,0<x≤100。

其制备工艺是:

1.以SnO2与BaCO3为原料按化学式BaSnO3化学计量比进行配比,然后湿法球磨使其混 合均匀,烘干后经1300℃保温2小时合成BaSnO3坯料。

2.以Bi2O3与BaCO3为原料按化学式BaBiO3化学计量比进行配比,然后湿法球磨使其混 合均匀,烘干后经800℃保温8小时合成BaBiO3坯料。

3.BaSnO3和BaBiO3陶瓷坯料按100BaSnO3-xBaBiO3比例配料,混合后二次球磨烘干; 也可在BaSnO3和BaBiO3混合陶瓷坯料中掺杂微量锑及稀土元素氧化物,混合后二次球磨烘 干。在掺杂或非掺杂100BaSnO3-xBaBiO3混合陶瓷坯料中加入PVA粘结剂干压成型,在600 ℃保温2小时排出粘结剂,再在1100~1300℃烧结2~5小时,最后随炉冷却至室温。陶瓷片 双面被银电极。

本制备方法可通过调整BaSnO3与BaBiO3的摩尔比、掺杂物摩尔百分含量和烧结工艺来 调控本材料体系的电学性能。

本发明的新型复相NTC热敏陶瓷材料,具有优良的热敏性能。性能测试表明,该热敏陶 瓷B值可达到5000K以上,室温电阻率可降至200Ω·m,实现热敏电阻元件低阻、高B值的 特性,可采用传统陶瓷制备技术和工业用原料获得,制备工艺简单、稳定,具有实用性。

附图说明

图1本发明实施例1中产物ρ-T曲线。

图2本发明实施例2中产物ρ-T曲线。

图3本发明实施例3中产物ρ-T曲线。

具体实施方式

实施例1:

以SnO2与BaCO3为原料按化学式BaSnO3进行配比,以无水乙醇为介质湿磨,烘干后经 1300℃保温2小时合成BaSnO3陶瓷坯料。

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