[发明专利]一种具界面粗化的发光二极管及其制作方法有效

专利信息
申请号: 200810072165.4 申请日: 2008-11-14
公开(公告)号: CN101409321A 公开(公告)日: 2009-04-15
发明(设计)人: 黄尊祥;杨凯;李涛;彭绍文 申请(专利权)人: 厦门乾照光电有限公司
主分类号: H01L33/00 分类号: H01L33/00
代理公司: 厦门市新华专利商标代理有限公司 代理人: 李 宁
地址: 361000福建省*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 界面 发光二极管 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种具界面粗化的发光二极管,其特征在于:包含一个基板; 在基板上形成发光结构;在发光结构上形成第一电极,且发光结构与 第一电极融合;发光结构还在融合基础上通过曝光、显影及蚀刻出发 光区,形成粗化界面;在基板的另一面上形成第二电极。

2.一种具界面粗化的发光二极管的制作方法,其特征在于包含 以下步骤:

(1)提供一个基板;

(2)在基板上形成发光结构;

(3)在发光结构上形成第一电极;

(4)通过热处理方式使发光结构与第一电极融合;

(5)在融合基础上,通过曝光、显影及蚀刻的方式,蚀刻出发 光区,得到粗化界面;

(6)在基板的另一面上形成第二电极。

3.根据权利要求2所述之一种具界面粗化的发光二极管的制作 方法,其特征在于:步骤(3)中第一电极的材料包含:金、金铍、 金锌、钛、镍等金属材料中的一种或多种组成。

4.根据权利要求2所述之一种具界面粗化的发光二极管的制作 方法,其特征在于:步骤(4)的热处理方式是采用快速热处理。

5.根据权利要求2所述之一种具界面粗化的发光二极管的制作 方法,其特征在于:步骤(4)的热处理方式是采用常规热处理。

6.根据权利要求2所述之一种具界面粗化的发光二极管的热处 理,其特征在于:步骤(4)的热处理温度介于200℃~1000℃。

7.根据权利要求6所述之一种具界面粗化的发光二极管的制作 方法,其特征在于:所述步骤(4)的热处理温度介于400℃~800℃。

8.根据权利要求2所述之一种具界面粗化的发光二极管的制作 方法,其特征在于:步骤(5)的蚀刻为湿法蚀刻。

9.根据权利要求2所述之一种具界面粗化的发光二极管的制作 方法,其特征在于:步骤(5)蚀刻所用的蚀刻液包含:碘、碘化钾、 硝酸、盐酸、硫酸、氢氟酸等化学制剂中的一种或多种组成。

10.根据权利要求2所述之一种具界面粗化的发光二极管的制作 方法,其特征在于:步骤(6)中第二电极的材料包含:金、金锗、 镍等金属材料一种或多种组成。

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