[发明专利]一种晶体生长提拉装置无效
| 申请号： | 200810072129.8 | 申请日： | 2008-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN101736395A | 公开（公告）日： | 2010-06-16 |
| 发明（设计）人： | 邹宇琦;叶宁 | 申请（专利权）人： | 中国科学院福建物质结构研究所 |
| 主分类号： | C30B15/30 | 分类号： | C30B15/30 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 350002 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 晶体生长 装置 | ||
1.一种高温、高真空、可用于气氛生长的晶体生长提拉装置设计。真空套管(4)、称重旋转室(5)、提拉系统(6)、小炉盖提拉下降手动摇柄(7)、籽晶杆手动提拉下降手动摇柄(8)、提拉系统固定(9)、定位扳手(10)、下支撑杆(11)、下支撑杆固定(12)。
2.根据权利要求1所述的晶体生长提拉装置，其特征在于：所述的籽晶杆部分(4、5)可沿垂直地面方向，以下支撑杆(11)为轴心水平旋转360°，在任意角度固定。
3.根据权利要求1所述的晶体生长提拉装置，其特征在于：所述的籽晶杆为双夹层水冷套结构。
4.根据权利要求1所述的晶体生长提拉装置，其特征在于：所述的水冷套外部与炉盖的连接采用真空密封管。
5.根据权利要求1所述的晶体生长提拉装置，其特征在于：所述的装置有手动和自动提拉两部分构成，自动提拉速度精度高于0.05mm/h。
6.根据权利要求1所述的晶体生长提拉装置，其特征在于：所述的籽晶杆转速为0-50rpm。
7.根据权利要求1所述的晶体生长提拉装置，其特征在于：所述的装置具有自动称重系统(5)。
8.根据权利要求1所述的晶体生长提拉装置，其特征在于：所述的本装置籽晶杆为一套真空装置系统，真空条件实用范围：真空度大于10-3pa量级。
9.根据权利要求1所述的晶体生长提拉装置，其特征在于：所述的装置籽晶杆具为一套真空装置系统，可进行气氛生长。
10.根据权利要求1所述的晶体生长提拉装置，其特征在于：所述的支撑部分为上下两层，下层为下支撑杆(11)及下支撑杆固定装置，起旋转和支撑作用；上层为提拉系统，起籽晶杆升降作用。
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