[发明专利]一种两片式结构的腔内倍频微片激光器的加工方法

权利要求书

1.一种两片式结构的腔内倍频微片激光器的加工方法，其加工步骤包括：双折射型激光晶体及II类位相匹配倍频晶体分别毛坯定向、切割、大片磨砂、抛光、大片镀膜、双折射型激光晶体与II类位相匹配倍频晶体之间固定，其特征在于：双折射型激光晶体抛光步骤中还含有位相差控制步骤，使得双折射型激光晶体被加工成在该激光器实际工作温度下所输出倍频光的高级次半波片或全波片。

2.如权利要求1所述的一种两片式结构的腔内倍频微片激光器的加工方法，其特征在于：所述位相差控制步骤所对应的抛光为双折射型激光晶体的最后一次表面抛光。

3.如权利要求1所述的一种两片式结构的腔内倍频微片激光器的加工方法，其特征在于：所述位相差控制步骤中所用的位相差控制方法是测量双折射型激光晶体中o、e倍频光的位相差或测量双折射型激光晶体的几何厚度。

4.如权利要求3所述的一种两片式结构的腔内倍频微片激光器的加工方法，其特征在于：所述位相差或几何厚度的计算步骤如下：

假设在微片激光器的实际工作温度t₁时，要求双折射型激光晶体为所输出倍频光的高级次半波片或全波片，则双折射型激光晶体中o、e倍频光的位相差满足：

则在测量环境温度为t₂时，该双折射型激光晶体中o、e倍频光的位相差应为：

以上部分参数之间的关系为：

n_o(t₁)＝n_o(t₂)+(dn_o/dt)*(t₁-t₂)            (3)

n_e(t₁)＝n_e(t₂)+(dn_e/dt)*(t₁-t₂)            (4)

Lt₂＝[1+α*(t₂-t₁)]*Lt₁                    (5)

根据以上公式，当已知部分参数时即可得出相应的位相差值或厚度值，其中，K为正整数，Lt₁、Lt₂分别为双折射型激光晶体在温度t₁、t₂时所对应的几何厚度，单位与倍频光波长λ_2ω相同，n_e(t₁)、n_e(t₂)分别为双折射型激光晶体在温度t₁、t₂时所对应的波长λ_2ω处e光折射率，n_o(t₁)、n_o(t₂)分别为双折射型激光晶体在温度t₁、t₂时所对应的波长λ_2ω处o光折射率，α为双折射型激光晶体在温度t₁～t₂范围内沿通光方向上的线膨胀系数，dn_o/dt、dn_e/dt分别对应双折射型激光晶体在温度t₁～t₂范围内波长为λ_2ω时o、e光的热光系数。

5.如权利要求1所述的一种两片式结构的腔内倍频微片激光器的加工方法，其特征在于：所述两片式结构的腔内倍频微片激光器只含有一片双折射型激光晶体和一片II类位相匹配倍频晶体，所述的双折射型激光晶体、II类位相匹配倍频晶体的光轴与通光方向垂直，且双折射型激光晶体与II类位相匹配倍频晶体二者的光轴成45°夹角。

6.如权利要求1所述的一种两片式结构的腔内倍频微片激光器的加工方法，其特征在于：所述的双折射型激光晶体及II类位相匹配倍频晶体大片镀膜是指两者分别镀制有不同膜层，不同膜层包括前腔镜膜和后腔镜膜两种，其中前腔镜膜为对基频光及倍频光高反射，泵浦光高透过的膜层，后腔镜膜为对基频光高反射及倍频光高透过的膜层。