[发明专利]一种湿法制备的P-型掺杂有机薄膜及具有此薄膜的电致发光器件

权利要求书

1、一种湿法制备的P-型掺杂有机薄膜，其特征在于：是使用溶液的方式形成聚合物材料、有机分子空穴注入或传输材料和P-型掺杂剂的共掺杂体系，通过湿法成膜工艺制备的有机薄膜。

2、如权利要求1所述的一种湿法制备的P-型掺杂有机薄膜，其特征在于：此有机薄膜的厚度为20nm-1μm。

3、如权利要求1所述的一种湿法制备的P-型掺杂有机薄膜，其特征在于：所述聚合物材料至少包括聚甲基丙烯酸甲酯PMMA，聚苯乙稀PS，聚碳酸酯PC，聚酰亚胺PI，聚氨酯PU，环氧化合物共聚物APC，聚丙烯酸PAA，聚乙烯咔唑PVK等惰性介电聚合物和具有空穴传输功能的聚合物中的一种。

4、如权利要求1所述的一种湿法制备的P-型掺杂有机薄膜，其特征在于：所述有机分子空穴注入或传输材料至少包括N，N`-二(萘-1-基)-N，N`-二苯基-联苯胺NPB和N，N`-二苯基-N，N`-双(3-甲基苯基)-1，1-二苯基-4，4`-二胺TPD及其衍生物、4，4`，4``-三[N-(3-甲基)-N-苯胺基]三苯胺MTDATA、4，4`，4``-三偶(3-甲基苯基苯胺)三苯胺m-MTDATA、α六噻吩α-6T中的一种。

5、如权利要求1所述的一种湿法制备的P-型掺杂有机薄膜，其特征在于：所述P-型掺杂剂包括有机物如2，3，5，6-四氟-7，7，8，8-四氰基喹啉并二甲烷F4-TCNQ和四氰基对苯醌二甲烷TCNQ的其他衍生物，无机氧化剂如碘I₂、氧化铁FeCl₃、氟化铁FeF₃、氯化锑SbCl₅，以及金属氧化物如氧化钨WO₃、氧化钼MoO_x、氧化钒V₂O₅、氧化铼ReO₃和其它金属卤化物中的一种。

6、具有湿法制备的P-型掺杂有机薄膜的电致发光器件，其特征在于：包括依次叠加的基片、透明阳极、P-型掺杂有机薄膜、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，其中，P-型掺杂有机薄膜为聚合物主体材料、有机分子空穴注入或传输材料和P-型掺杂剂的共掺杂体系通过湿法制备在透明阳极上且厚度为20nm-1μm的有机薄膜。

7、如权利要求6所述具有湿法制备的P-型掺杂有机薄膜的电致发光器件，其特征在于：所述基片是玻璃或者柔性基片，其中柔性基片是聚酯或聚酞亚胺类化合物。

8、如权利要求6所述具有湿法制备的P-型掺杂有机薄膜的电致发光器件，其特征在于：所述透明阳极采用无机材料或有机导电聚合物，该无机材料为氧化铟锡、氧化锌或氧化锡中的一种金属氧化物或为金、铜、银或锌中的一种金属，有机导电聚合物为聚噻吩、聚乙烯基本苯磺酸钠或聚苯胺。

9、如权利要求6所述具有湿法制备的P-型掺杂有机薄膜的电致发光器件，其特征在于：所述阴极是金属、合金或金属氟化物与金属复合电极，所述金属选自锂、镁、铝、钙、锶、铟，所述合金选自锂、镁、铝、钙、锶、铟分别与铜、金、银的合金。

10、如权利要求6所述具有湿法制备的P-型掺杂有机薄膜的电致发光器件，其特征在于：所述空穴传输层的材料为二胺类化合物和三苯胺类化合物。

11、如权利要求6所述具有湿法制备的P-型掺杂有机薄膜的电致发光器件，其特征在于：所述有机发光层的材料为金属有机配合物、芳香稠环类化合物、邻菲咯啉类化合物或咔唑类衍生物中的一种材料，以及荧光染料和磷光掺杂发光层。

12、如权利要求6所述具有湿法制备的P-型掺杂有机薄膜的电致发光器件，其特征在于：所述电子传输层的材料为金属有机配合物、芳香稠环类化合物、邻菲咯啉类化合物中的一种材料。