[发明专利]非线性光学晶体钒酸镧钙及其制备方法和用途无效

专利信息
申请号: 200810071257.0 申请日: 2008-06-23
公开(公告)号: CN101319394A 公开(公告)日: 2008-12-10
发明(设计)人: 庄乃锋;陈建中;陈新;胡晓琳;赵斌;郭飞云 申请(专利权)人: 福州大学
主分类号: C30B29/30 分类号: C30B29/30;C30B15/00
代理公司: 福州元创专利代理有限公司 代理人: 蔡学俊
地址: 350002*** 国省代码: 福建;35
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 非线性 光学 晶体 钒酸镧钙 及其 制备 方法 用途
【权利要求书】:

1.一种非线性光学晶体钒酸镧钙的制备方法,其特征在于:所述的钒酸镧钙晶体采用提拉法制备,所述晶体的化学式为Ca9La(VO4)7,属三方晶系,R3cH空间群,晶胞参数a=10.8987(5),c=38.1470(10),密度3.31g/cm3;所述的钒酸镧钙晶体采用提拉法生长单晶,生长温度为1500~1550℃,生长气氛为惰性气体气氛;所述的惰性气体为氮气或氩气。

所述钒酸镧钙晶体制备步骤为:

(1)高纯多晶原料合成:按Ca9La(VO4)7化学计量比准确称取药品:La2O3、CaCO3、NH4VO3,即La2O3∶CaCO3∶NH4VO3的摩尔比为1∶18∶14,将所称取的药品放入刚玉研钵中研磨均匀、压片,然后进行高温烧结;所述高温烧结的温度为800~1000℃,烧结的时间为:4~10小时,制备成高纯多晶原料;

(2)单晶生长:采用提拉法,以铱金坩埚作为晶体生长的容器,将已经制备好的高纯多晶原料装入铱金坩埚,在惰性气体气氛下进行单晶提拉,生长速度为0.8~2.0mm/h,晶体转速为12~30r/min,透过单晶提拉炉上的石英观察窗观察晶体生长时光圈及生长趋势的变化情况,并通过欧陆表调节电势的升降及其变化速率,所述电势的升降范围为100~1500mV,变化速率范围为0~200mV,以控制晶体生长形态;

(3)晶体退火:当晶体生长结束后,将晶体提升并脱离熔体,调整晶体高度,使其高出熔体表面0.5~5mm,然后缓慢退火至室温,降温速率为5~60℃/h,得到钒酸镧钙晶体。

2.根据权利要求1所述的非线性光学晶体钒酸镧钙的制备方法,其特征在于:所述La2O3纯度99.99%,所述CaCO3纯度99.5%,所述NH4VO3纯度99.5%。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于福州大学,未经福州大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810071257.0/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top