[发明专利]基于导电高分子聚吡咯的药物自动释放体系的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种药物控制释放技术，尤其是涉及一种以聚吡咯为药物载体的药物释放体系的制备方法。

背景技术

聚吡咯是一种导电高分子，它具有独特的掺杂/脱掺杂性能，当其在氧化态与还原态之间变化时，会伴随着掺杂离子进入与离开导电聚合物的过程，以维持电荷的平衡(J M Pernaut，JR Reynolds，Journal of Physical Chemistry B，2000，104，4080-4090)。当掺杂离子为药物时，利用这一原理即可实现药物的存储与释放，因此聚吡咯可用作药物释放的载体。目前已有关于聚吡咯控制释放小分子的谷氨酸盐、三磷酸腺苷(ATP)、N-甲基吩噻嗪、甲氧萘丙酸、水杨酸盐、氟尿嘧啶(5-Fu)、呋氟尿嘧啶(TF-207)以及大分子的神经生长因子等多种药物的报道(AliAkbar Entezami，Bakhshali Massoumi，Iranian Polymer Journal，15(1)，2006，13-30；NathalieK.Guimard，Natalia Gomez，Christine E.Schmidt，Progress in Polymer Science，2007，32，876-921)。但是，目前以聚吡咯为药物载体的药物释放体系，其药物的释放均需外加一定的电位才能实现，因此，只有在体系中集成了电源设备，才能满足其在体内释放的要求。这不仅增加了能源消耗，而且导致了加工与密封等过程的复杂化，从而在一定程度上限制了聚吡咯药物释放技术的进一步应用。

发明内容

本发明的目的旨在提供一种以聚吡咯为药物载体，无外加电位即可在体温下自动释放药物磺基水杨酸的基于导电高分子聚吡咯的药物自动释放体系的制备方法。

本发明通过下述技术方案加以实现：

1)以纯钛为基材，对钛片进行预处理；

2)将预处理后的钛片的一个表面用绝缘材料密封；

3)将钛片浸入由吡咯单体和磺基水杨酸组成的水溶液中，采用电化学方法在钛片未密封的一侧表面上生长固载了磺基水杨酸的聚吡咯膜，反应结束后将一侧长有聚吡咯膜的钛片取出，用水清洗后再用N₂吹干；

4)将钛片密封一侧的绝缘材料除去，再涂布一层二十烷，即得最终的药物释放体系。

所述钛片的厚度为0.4～1.4mm，面积为100～150mm²。

钛片的预处理过程为：依次用甲苯、丙酮、无水乙醇分别超声处理10min后，置于氢氟酸中浸泡30s，再用无水乙醇超声处理10min，取出用N₂吹干。

所述绝缘材料为环氧树脂。

所述吡咯单体浓度为0.02～1.0mol/L。

所述磺基水杨酸浓度为0.02～0.2mol/L。

所述吡咯单体与磺基水杨酸的摩尔比为(1～5)∶1。

所述电化学方法指恒电位法、恒电流法或循环伏安法，当采用恒电位法制备聚吡咯膜时，电位施加范围为0.80～1.1V，施加时间为60～1800s；当采用恒电流法制备聚吡咯膜时，电流密度为0.6～10.0mA/cm²，施加时间为60～1800s；当采用循环伏安法制备聚吡咯膜时，电位扫描范围为0～1.2V，电位扫描速率为5～200mV/S，扫描周数为1～50周。

将药物释放体系置于生理盐水、磷酸盐缓冲溶液(pH 7.2)或模拟体液中，升温至36.8～37.5℃(体温)后二十烷(溶点36.8℃)溶解，将下面的纯钛暴露出来，固载到聚吡咯膜中的磺基水杨酸即可陆续自动释放到溶液中。

本发明将载药的聚吡咯直接沉积于金属钛上，由于金属钛与聚吡咯具有不同的电极电势，因此当两者紧贴在一起的时候就和周围的电解质溶液一起构成了一个原电池，聚吡咯从金属钛得到电子被还原，掺杂在聚吡咯膜中的磺基水杨酸就被自动释放到电解质溶液中。为避免药物在体系的储存过程中遇到电解质溶液而释放，本发明将裸露的金属钛用溶点为36.8℃的二十烷密封，这样即使将该体系直接置于电解质溶液中，药物也不会释放。只有将体系周围的温度升高到体温时，二十烷溶解，暴露出金属钛，体系才能与周围的电解质溶液形成原电池，固载在聚吡咯膜里的药物才能被释放出来。因此，所制备的基于聚吡咯的药物释放体系，具有制备简单、无需外加电压、不消耗能源、对温度敏感并能在体温下自动释放药物的优点，在药物释放领域具有良好的应用前景。

具体实施方式

下面通过具体实施例对本发明作进一步说明。

实施例1

1)钛片的预处理