[发明专利]一种氮化镓基外延膜的制备方法无效
申请号: | 200810070780.1 | 申请日: | 2008-03-19 |
公开(公告)号: | CN101246820A | 公开(公告)日: | 2008-08-20 |
发明(设计)人: | 刘宝林;黄瑾;郑清洪 | 申请(专利权)人: | 厦门大学 |
主分类号: | H01L21/20 | 分类号: | H01L21/20;H01L21/762;H01L21/84;H01L33/00;H01L31/18;H01S5/00 |
代理公司: | 厦门南强之路专利事务所 | 代理人: | 马应森 |
地址: | 361005福*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氮化 外延 制备 方法 | ||
1.一种氮化镓基外延膜的制备方法,其特征在于包括以下步骤:
1)采用金属有机物气相外延法、分子束外延法或氢化物外延法在蓝宝石衬底上生长氮化镓基外延膜;
2)将蓝宝石衬底上生长氮化镓基外延膜的P面用环氧树脂粘在衬底支撑材料上,或用金属键合在衬底支撑材料上,所述衬底支撑材料为硅片或其他导热导电衬底;
3)根据所要求的激光光斑大小和激光器脉冲频率设定电动平台的行进的速度;
4)将蓝宝石衬底上生长氮化镓基外延膜固定在载物玻璃上,再连同电动平台一起放入真空室中抽真空;
5)调节激光器的输出能量密度,调整激光束经过光学系统后的聚焦光斑大小,激光束进入真空室的石英透镜窗口,照射到蓝宝石衬底上生长氮化镓外延膜的背面上,电动平台沿二维平动或螺旋线移动,激光光斑扫描整个蓝宝石衬底上生长氮化镓外延膜,使蓝宝石和氮化镓界面的氮化镓发生分解,氮化镓基外延膜与蓝宝石衬底分离;
6)激光扫描蓝宝石衬底上生长氮化镓基外延膜结束后,先关闭阀门,再关闭真空泵;
7)将蓝宝石衬底上生长氮化镓基外延膜浸入盐酸中,去除氮化镓和蓝宝石表面的镓,使蓝宝石衬底脱落,即得转移到硅片或其他导热导电衬底上的氮化镓基外延膜。
2.如权利要求1所述的一种氮化镓基外延膜的制备方法,其特征在于所述其他导热导电衬底为铜片。
3.如权利要求1所述的一种氮化镓基外延膜的制备方法,其特征在于所述抽真空的真空度为10~10-5Pa。
4.如权利要求1所述的一种氮化镓基外延膜的制备方法,其特征在于所述盐酸的浓度为50%。
5.如权利要求1所述的一种氮化镓基外延膜的制备方法,其特征在于所述再连同电动平台一起放入真空室中抽真空之前,利用加热装置对蓝宝石衬底上生长氮化镓外延膜进行加热。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造