[发明专利]一种掺镱钼酸锶的新型可调谐激光晶体无效

专利信息
申请号: 200810070576.X 申请日: 2008-01-31
公开(公告)号: CN101498045A 公开(公告)日: 2009-08-05
发明(设计)人: 涂朝阳;马兴华;李坚富;朱昭捷;游振宇;王燕 申请(专利权)人: 中国科学院福建物质结构研究所
主分类号: C30B29/32 分类号: C30B29/32;C30B15/00;H01S3/16
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 350002福*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 钼酸 新型 调谐 激光 晶体
【说明书】:

技术领域

发明涉及激光晶体材料领域。

背景技术

在激光晶体中,Yb3+掺杂具有很多优点:因不存在任何其他的激发态能级,即没有上转换、激发态吸收和驰豫振荡等激光能量损耗,从而提高了效率,具有很高的光-光转换效率;荧光寿命长有利于储能和减少吸收和发射间的量子缺陷;Yb3+的吸收峰在970nm附近,能与InGaAs激光二极管泵浦波长(900-1100nm)有效耦合。

SrMoO4晶体结构属于四方晶系,空间群为I41/a,晶胞参数为:Mr=247.56,Dc=4.70g/cm3。SrMoO4晶体具有良好的物化性能,不易潮解,适当的硬度。SrMoO4是同成份熔化,可以用提拉法得到较大尺寸的单晶。同时SrMoO4晶体是一个良好的自拉曼晶体材料。

显然地,SrMoO4是一种优良的激光基质晶体,Yb3+:SrMoO4也将是一种新型的、1.0μm波段的优质激光晶体,目前还未见有Yb3+:SrMoO4激光晶体的详细研究报道。我们测定了自己生长的Yb3+:SrMoO4晶体,发现晶体在波长978nm处,σ方向吸收截面为3.53×10-20cm2,π方向吸收截面为4.70×10-20cm2,适合于半导体激光光源作为泵浦源泵浦。晶体从1020nm到1080nm存在着一个宽带荧光发射峰,在σ方向发射截面为2.29×10-20cm2,峰值波长为1010nm,在π方向发射截面为2.02×10-20cm2,峰值波长为1025nm。高的发射截面使Yb3+:SrMoO4可以作为激光增益介质,有望在1020nm~1080nm波段产生可调谐激光输出。

发明内容

本发明的目的在于公开一种能够实现1020nm~1080nm波段可调谐激光输出的激光晶体材料Yb3+:SrMoO4

实现本发明目的技术方案:

1.一种新型的1020nm~1080nm波段稀土离子激活钼酸锶可调谐激光晶体,该晶体材料的化学式为Yb3+:SrMoO4

2.一种项1的激光晶体材料的制备方法,采用4N的Yb2O3和分析纯的SrCO3、MoO3、Na2CO3作为原料,在氮气气氛条件下采用提拉法生长晶体。

3.一种项1的激光晶体材料的用途,该材料用于实现1020nm~1080nm波段可调谐激光输出。

Yb3+掺杂的激光晶体易于发射~1.0微米的激光,Yb3+的吸收峰在970nm附近,能与InGaAs激光二极管泵浦波长(900-1100nm)有效耦合。SrMoO4是一种优良的激光基质晶体,Yb3+:SrMoO4也将是一种新型的、1020nm~1080nm波段的优质可调谐激光晶体。

附图说明

附图为激光实验装置。

具体实施方式:

实施例一:Yb3+:SrMoO4晶体的生长制备

晶体提拉法生长所用的仪器是高频提拉炉,所采用的坩埚是Φ55mm×30mm的铱坩埚,所用的原料是4N的Yb2O3和分析纯的SrCO3、MoO3。根据下列化学反应式配制原料:

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