[发明专利]一种掺铥钼酸锶的新型可调谐激光晶体无效

专利信息
申请号: 200810070568.5 申请日: 2008-01-31
公开(公告)号: CN101498043A 公开(公告)日: 2009-08-05
发明(设计)人: 涂朝阳;马兴华;李坚富;朱昭捷;游振宇;王燕 申请(专利权)人: 中国科学院福建物质结构研究所
主分类号: C30B29/32 分类号: C30B29/32;C30B15/00;H01S3/16
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 350002福*** 国省代码: 福建;35
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摘要:
搜索关键词: 一种 钼酸 新型 调谐 激光 晶体
【说明书】:

技术领域

发明涉及激光晶体材料领域。

背景技术

Tm3+作为激活离子今年来进行了深入的研究,它可以发射从红外到紫外宽范围的波段,具有潜在的应用价值。Tm3+离子在800nm附近存在一个吸收峰,适合于GaAlAs半导体激光器的泵浦。对应于3H4能级到3F4能级跃迁可发射1.5μm波长的激光,此波段是人眼安全的光源,在光通讯、医疗、激光探测和测距等领域具有广泛的应用。

钼酸锶SrMoO4晶体结构属于四方晶系,空间群为I41/a,晶胞参数为:a=5.3944c=12.02V=349.78Mr=247.56,Dc=4.70g/cm3。SrMoO4晶体具有良好的物化性能,不易潮解,适当的硬度。SrMoO4是同成份熔化,可以用提拉法得到较大尺寸的单晶。同时SrMoO4晶体是一个良好的拉曼晶体材料。

显然地,SrMoO4是一种优良的激光基质晶体,Tm3+:SrMoO4也将是一种新型的、1.0μm波段的优质激光晶体,目前还未见有Tm3+:SrMoO4激光晶体的详细研究报道。我们测定了自已生长的Tm3+:SrMoO4晶体,发现晶体在波长795nm处,σ方向吸收截面为2.54×10-20cm2,π方向吸收截面为2.74×10-20cm2,适合于半导体激光光源作为泵浦源泵浦。晶体从1355nm到1537nm存在着一个宽带荧光发射峰,在π、σ方向发射截面为1.39×10-20cm2,峰值波长为1497nm,高的发射截面使Tm3+:SrMoO4可以作为激光增益介质,有望在1355nm~1537nm波段产生可调谐激光输出。

发明内容:

本发明的目的在于公开一种能够实现1355nm~1573nm波段可调谐激光输出的激光晶体材料Tm3+:SrMoO4

实现本发明包括如下技术方案:

1.一种新型的1355nm~1573nm波段稀土离子激活钼酸锶可调谐激光晶体,该晶体材料的化学式为Tm3+:SrMoO4

2.一种项1的激光晶体材料的制备方法,采用4N的Tm2O3和分析纯的SrCO3、MoO3、Na2CO3作为原料,在氮气气氛条件下采用提拉法生长晶体。

3.一种项1的激光晶体材料的用途,该材料用于实现1355nm~1573nm波段可调谐激光输出。

Tm3+掺杂的激光晶体易于发射~1.5微米的激光,Tm3+的吸收峰在795nm附近,能与InGaAs激光二极管泵浦波长(900-1100nm)有效耦合。SrMoO4是一种优良的激光基质晶体,Tm3+:SrMoO4也将是一种新型的、1355nm~1573nm波段的优质可调谐激光晶体。

附图说明

附图为激光实验装置。

具体实施方式:

实施例1:Tm3+:SrMoO4晶体的生长制备

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