[发明专利]增加击穿电压的半导体结构及制造方法

权利要求书

1.一种增加击穿电压的半导体结构及制造方法，包括：

半导体材料1，主扩散结2，耐压层3，耗尽终止区4和介质层5共5个部分，主扩散结2、耐压层3、耗尽终止区4都处于半导体材料1中，主扩散结2和耐压层3的导电类型与半导体材料1是相反导电类型，耗尽终止区4与半导体材料1是相同导电类型。

2.如权利要求1的一种增加击穿电压的半导体结构及制造方法，其特征在于：所述耐压层3和耗尽终止区4表面允许存在各种厚度和多层不同性质的介质层5，但不允许存在导电性材料，如金属和多晶硅。

3.如权利要求1的一种增加击穿电压的半导体结构及制造方法，其特征在于：所述耐压层3净掺入杂质面密度在半导体材料1理想平行平面结雪崩击穿前最大耗尽层空间电荷面密度与介质层5及半导体材料1间电荷面密度带符号运算之和的0.5倍到2倍范围内。

4.如权利要求1的一种增加击穿电压的半导体结构及制造方法，其特征在于：所述耐压层3横向长度在半导体材料1理想平行平面结最大雪崩击穿时耗尽层厚度的1倍到5倍范围内。

5.如权利要求1的一种增加击穿电压的半导体结构及制造方法，其特征在于：所述耐压层3和耗尽终止区4可以相接触也可以存在间距。

6.如权利要求1的一种增加击穿电压的半导体结构及制造方法，其中，所述主扩散结2和耐压层3可以相接触。

7.如权利要求1的一种增加击穿电压的半导体结构及制造方法，其特征在于：所述主扩散结2和耐压层3还可以存在间距，并且间距小于半导体材料1理想平行平面结最大雪崩击穿时耗尽层厚度的20％。

8.如权利要求1的一种增加击穿电压的半导体结构及制造方法，其特征在于：所述半导体材料1可以是单晶半导体材料，也可以是外延单晶半导体材料，还可以是硅片键合的单晶半导体材料。

9.如权利要求1的一种增加击穿电压的半导体结构及制造方法，其特征在于：所述半导体材料1是商业意义上杂质分布均匀的单晶半导体材料，包括商业意义上杂质分布均匀的外延和硅片键合的单晶半导体材料。

10.包含上述权利要求1～9特征的半导体器件或者半导体集成电路，可以是二极管、双极三极管、MOSFET、VDMOS、LDMOS、IGBT以及LIGBT。