[发明专利]基于MEMS闪耀光栅的波分复用器/解复用器无效

专利信息
申请号: 200810069913.3 申请日: 2008-06-30
公开(公告)号: CN101308234A 公开(公告)日: 2008-11-19
发明(设计)人: 喻洪麟;何安国;吴永峰;康治平 申请(专利权)人: 重庆大学
主分类号: G02B6/293 分类号: G02B6/293;G02B6/26;G02B6/32;G02B26/08;G02B5/18;G02B6/34
代理公司: 重庆华科专利事务所 代理人: 康海燕
地址: 400030重*** 国省代码: 重庆;85
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摘要:
搜索关键词: 基于 mems 闪耀 光栅 波分复用器 解复用器
【权利要求书】:

1、基于MEMS闪耀光栅的波分复用器/解复用器,包括MEMS闪耀光栅、自聚焦透镜、入射光纤和出射光纤,其特征在于,所述闪耀光栅设置在自聚焦透镜的焦点处,并且闪耀光栅的栅面与水平线夹角为70°,与自聚焦透镜熔接在一起;入射光纤与自聚焦透镜之间采用标准透镜进行耦合,并熔接在一起,自聚焦透镜对光纤中传输的高斯光束进行准直;出射光纤沿直径方向紧密排列,该直径方向与闪耀光栅的栅线垂直;所述MEMS闪耀光栅起耦合作用,将来自不同通道的不同波长的光载波耦合到一个通道,当作为解复用器使用时,闪耀光栅根据其衍射原理,将不同波长的光载波进行分离。

2、根据权利要求1所述的基于MEMS闪耀光栅的波分复用器/解复用器,其特征在于:所述出射光纤的光纤头采用锥形,与自聚焦透镜熔接在一起,增强光纤与自聚焦透镜之间的耦合效率。

3、根据权利要求1或2所述的基于MEMS闪耀光栅的波分复用器/解复用器,其特征在于:所述MEMS闪耀光栅的制作采用的是硅光栅的制作工艺,利用偏晶向(111)硅片制作一定闪耀角的硅光栅,所述MEMS闪耀光栅的表面平整光滑。

4、根据权利要求3所述基于MEMS闪耀光栅的波分复用器/解复用器,其特征在于:所述自聚焦透镜采用的是1/4周期的自聚焦透镜,其折射率分布采用:

n2(r)=n2(0)(1-a2r2)=1.52(1-0.001r2)

上式中的n(0)为轴线折射率,n(r)为离轴距离r处的折射率,a2为自聚焦透镜的聚焦常数。

5、根据权利要求4所述基于MEMS闪耀光栅的波分复用器/解复用器,其特征在于:所述MEMS闪耀光栅的周期为2.3μm,且闪耀角为20°时,对1.55μm附近的光具有最佳的分光效果,并且其光能主要集中在1级光谱上。

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