[发明专利]微型光纤F-P传感器及制作方法、基于传感器的液体测试仪无效

专利信息
申请号: 200810069753.2 申请日: 2008-05-27
公开(公告)号: CN101303300A 公开(公告)日: 2008-11-12
发明(设计)人: 饶云江;邓明;朱涛;段德稳 申请(专利权)人: 重庆大学
主分类号: G01N21/41 分类号: G01N21/41;G01N21/01;G02B6/02;G02B6/255
代理公司: 重庆市恒信知识产权代理有限公司 代理人: 陈杨
地址: 400044重*** 国省代码: 重庆;85
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摘要:
搜索关键词: 微型 光纤 传感器 制作方法 基于 液体 测试仪
【权利要求书】:

1、一种微型光纤F-P传感器,其特征在于:在实芯光子晶体光纤(2)一端熔接有普通单模光纤(1),另一端熔接有单模光纤(3)。

2、根据权利要求1所述微型光纤F-P传感器,其特征在于:单模光纤(3)与实芯光子晶体光纤(2)的纤芯折射率相同,且单模光纤(3)的长度为10-100微米。

3、根据权利要求1所述微型光纤F-P传感器,其特征在于:所述的实芯光子晶体光纤(2)为无限单模光子晶体光纤,即EPCF,其长度为1-6毫米。

4、一种微型光纤F-P传感器的制作方法,其特征在于:

1)采用手动熔接的方法将普通单模光纤(1)与实芯光子晶体光纤(2)的一端熔接;

2)根据需要的F-P腔长度,切割光子晶体光纤;

3)采用手动熔接的方法将单模光纤(3)与实芯光子晶体光纤(2)的另一端熔接;

4)采用飞秒激光方法将单模光纤(3)的长度切割至几十微米。

5、根据权利要求4所述的一种微型光纤F-P传感器的制作方法,其特征在于:步骤1)和2)熔接时,实芯光子晶体光纤(2)距放电区域中芯轴线20微米以上。

6、根据权利要求4所述微型光纤F-P传感器的制作方法,其特征在于:熔接时的:

1)电弧功率为30-55(单位),

2)预放电时间为150-190ms,

3)放电持续时间为600-1000ms。

7、一种基于微型光纤F-P传感器的液体测试仪,其特征在于:该液体测试仪包括:微型光纤F-P传感器(6),即监测探头,2×1的耦合器(7),光谱仪(8)和计算机(9),其中:监测探头通过2×1的耦合器分别与光谱仪的光源输出端和输入端相连接,光谱仪(8)数据输出端与计算机(9)相连接。

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