[发明专利]半导体存储介质的寿命显示方法、系统及装置无效
申请号: | 200810068479.7 | 申请日: | 2008-07-10 |
公开(公告)号: | CN101625900A | 公开(公告)日: | 2010-01-13 |
发明(设计)人: | 卢赛文 | 申请(专利权)人: | 深圳市朗科科技股份有限公司 |
主分类号: | G11C29/00 | 分类号: | G11C29/00;G06F12/00;G06F3/06 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 胡海国;王艳春 |
地址: | 518057广东省深圳市南*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 存储 介质 寿命 显示 方法 系统 装置 | ||
技术领域
本发明涉及电数字数据处理领域,尤其涉及一种半导体存储介质的寿命显示方法、系统及装置。
背景技术
现在半导体存储介质的使用非常广泛,如常见的U盘闪存盘、闪存卡以及手机、数码相机等产品上也都使用了半导体存储介质,并且半导体存储介质已经进入到电脑和服务器等领域,有接替硬盘的发展趋势。随着技术和工艺的不断进步和成熟,半导体存储介质的容量也变得越来越大,与此同时,半导体存储介质的存储密度也越来越大,它的使用寿命也变得越来越短。半导体存储介质的寿命信息包括半导体存储介质的最大寿命、半导体存储介质的平均寿命、寿命阈值和/或所有物理块的寿命。所有这些寿命值在擦写过程中会不断变化,它们可以存放在半导体存储介质本身,也可以暂存在半导体存储设备的内存,还可以存在别的存储介质中。
以闪存介质为例,每个块的可擦写次数一般都只有几千次,有的甚至只有几百次、几十次。所以用户在使用时不知道半导体存储介质寿命何时达到极限,这样很可能导致一些重要数据的丢失。所以需要一种方法让用户知道半导体存储介质的老化程度并在达到使用极限之前做出提示或警告。
发明内容
本发明的目的之一是提供一种半导体存储介质的寿命显示方法、系统及装置,显示用户半导体存储介质的寿命。
本发明的寿命显示方法采用如下技术方案,包括步骤:
获取半导体存储介质寿命信息;
显示半导体存储介质寿命信息。
本发明还提供一种半导体存储设备寿命显示系统,所述寿命显示系统包括主机系统和半导体存储设备,半导体存储设备包括主控、内存和半导体存储介质,主控分别连接内存和半导体存储介质,主机系统通过主控获取半导体存储设备寿命信息;主机系统显示获取的半导体存储设备寿命信息。
本发明还提供一种半导体存储设备寿命显示装置,用于显示半导体存储介质的寿命信息,所述寿命显示装置包括显示模块、主控芯片、内存和半导体存储介质,主控芯片分别连接显示模块、内存和半导体存储介质,主控芯片获取半导体存储介质寿命信息;主控芯片根据获取的半导体存储介质寿命信息控制显示模块进行显示。
本发明采用了显示半导体存储介质寿命的方式来实现半导体存储介质的寿命的提示,使用户知道半导体存储介质的老化程度并在达到使用极限之前做出提示,在使用时知道半导体存储介质寿命何时达到极限,这样可以在存储设备老化前对重要数据及时进行备份,保护了数据的安全性,避免了数据的丢失。
附图说明
图1是本发明第一实施例的显示方法流程图;
图2是本发明第二实施例的获取的半导体存储介质寿命信息流程图;
图3是本发明第二实施例的显示的半导体存储介质寿命信息流程图;
图4是本发明第三实施例的显示的半导体存储介质寿命信息流程图;
图5是本发明第三实施例加入预警步骤后的流程图;
图6是本发明第四实施例的显示系统结构图;
图7是本发明第五实施例的显示装置结构示意图。
本发明目的、功能及优点将结合实施例,参照附图做进一步说明。
具体实施方式
本发明通过获取半导体存储介质信息,根据获取的半导体存储介质信息的结果进行显示,实现了半导体存储介质的寿命的提示。
如图2所示,本实施例的半导体存储介质的寿命显示方法包括步骤:
S110、获取半导体存储介质寿命信息;
S120、显示半导体存储介质寿命信息。
本实施例获取现有的半导体存储介质中为了实现平衡算法而记录的半导体存储介质的寿命信息,然后将所获取的半导体存储介质寿命信息直接或转换后进行显示,达到用户可以识别半导体存储介质的寿命信息的目的,使用户能够掌握半导体存储介质的老化情况。
基于第一实施例,本发明提出第二实施例。
图3和图4示出了本发明的第二实施例,如图3所示,所述步骤S110获取半导体存储介质寿命信息包括步骤:
S111、发出寿命信息读取命令;
S112、读取半导体存储介质中的寿命信息;
S113、返回读取的寿命信息。
如图4所示,所述显示半导体存储介质寿命信息包括步骤:
S121、显示读取的寿命信息。
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