[发明专利]太阳能电池的光伏板及带有该光伏板的集光发电装置

说明书

技术领域

本发明涉及一种太阳能电池，特别是一种太阳能电池的光伏板结构以及带有该光伏板的太阳能集光发电装置。

背景技术

太阳能电池是一种将太阳能转化为电能的装置，现有技术的太阳能电池的光伏板，采用PN结光伏板单面设置，它的缺点是不能充分利用太阳光，太阳能转化为电能的效率低，且需要大量的硅材料，如每平方米单面光伏板的太阳能电池可以获得的电能为150瓦，其效率只有15％。需要更大电能时，需设置更多的太阳能电池光伏板，耗用大量的硅晶体材料，增加太阳能发电的成本，从而使得人们不能充分利用太阳能。

发明内容

本发明的目的是提供一种太阳能电池的光伏板及带有该光伏板的太阳能集光发电装置，要解决的技术问题是提高太阳能电池的效率。

本发明采用以下技术方案：一种太阳能电池的光伏板，包括硅晶片，所述硅晶片的两个表面，分别通过半导体制造工艺，形成具有光电效应的PN结，并在硅晶片的两个表面PN结上，分别设有电极引线。

本发明太阳能电池的光伏板的两个表面形成的PN结图形，为整面扩散图形、网格扩散图形、梳状扩散图形或梳状-梳状扩散图形。

本发明太阳能电池的光伏板的硅晶片为N-型硅片，N-型硅片的两个表面分别通过半导体制造工艺，依次形成P型层和N+型层，所述P型层与N+型层上分别设有电极引线。

本发明太阳能电池的光伏板的N+型层相距2-4mm的间距上分别设有一条宽0.1mm的负极电极引线，所述P型层相距2-4mm的间距上分别设有一条宽为0.1mm的正极电极引线。

本发明太阳能电池的光伏板的硅晶片为P或N型硅片，P或N型硅片的两个表面分别通过半导体制造工艺形成N+或P+型层，所述P或N型层与N+或P+型层上分别设有电极引线。

本发明太阳能电池的光伏板的N+或P+型层相距2-4mm的间距上分别设有一条宽0.1mm的负或正极电极引线，所述P或N型层相距2-4mm的间距上分别设有一条宽为0.1mm的正或负极电极引线。

一种带有太阳能电池光伏板的集光发电装置，包括太阳能电池的光伏板，所述光伏板的硅晶片的两个表面，分别通过半导体制造工艺，形成具有光电效应的PN结，并在硅晶片的两个表面PN结上，分别设有电极引线，硅晶片表面下方设有反光板，所述反光板设置在反光板控制机构上。

本发明带有太阳能电池光伏板的集光发电装置的硅晶片为N-型硅片，N-型硅片的两个表面分别通过半导体制造工艺，依次形成P型层和N+型层，所述P型层与N+型层上分别设有电极引线。

本发明带有太阳能电池光伏板的集光发电装置的硅晶片为P型或N型硅片，P型或N型硅片的两个表面分别通过半导体制造工艺形成N+型或P+型层，所述P型或N型层与N+型或P+型层上分别设有电极引线。

本发明带有太阳能电池光伏板的集光发电装置的反光板控制机构包括光伏板放置架、反光板放置架、支架和向阳调节器。

本发明与现有技术相比，在硅晶片的两个表面，分别通过半导体制造工艺，形成具有光电效应的PN结，并在硅晶片的两个表面PN结上，分别设有电极引线，形成正、反面的二个太阳能电池，并可以立体采光，其光生电流总值是正、反二面之和，而且可以很方便接收反射光，反射光的强度可以超过直射光并可调，从而充分利用太阳光，使光生电流大大增加，提高了光电效率。

附图说明

图1是本发明实施例的太阳能电池的结构原理图。

图2是现有技术的太阳能电池的结构示意图。

图3是本发明实施例1的结构示意图。

图4是本发明实施例2的结构示意图。

图5是本发明实施例对应图1的结构示意图。

图6是本发明实施例的N+型层的整面扩散结构示意图。

图7是本发明实施例的N+型层的梳-梳状扩散结构示意图。

图8是本发明实施例的N+型层的梳状扩散结构示意图。

图9是本发明实施例的N+型层的方网格扩散结构示意图。

图10是本发明实施例的N+型层的整面扩散结构负电极示意图。

图11是本发明实施例的正、负极电极引线的排列方式示意图。

图12是本发明实施例的太阳能电池的正、反面正负电极结构示意图。

图13是本发明实施例的太阳能电池光伏板集光发电装置结构示意图。

图14是本发明实施例的太阳能电池光伏板集光发电装置的太阳灶式结构示意图。

具体实施方式