[发明专利]硅片清洗液及其清洗方法有效
| 申请号： | 200810067515.8 | 申请日： | 2008-05-29 |
| 公开（公告）号： | CN101503650A | 公开（公告）日： | 2009-08-12 |
| 发明（设计）人： | 李杰 | 申请（专利权）人： | 深圳深爱半导体有限公司 |
| 主分类号： | C11D7/26 | 分类号： | C11D7/26;H01L21/306;H01L21/311;C11D7/08 |
| 代理公司： | 广州华进联合专利商标代理有限公司 | 代理人： | 郑小粤 |
| 地址： | 518029广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 硅片 清洗 及其 方法 | ||
【权利要求书】：
1. 一种硅片清洗液，其特征在于，主要由乙醇和氢氟酸经混合配成，所述乙醇与氢氟酸的体积比为35～45∶1，所述乙醇的质量百分比浓度为18％～100％，所述氢氟酸由氟化氢和去离子水配成，其质量百分比浓度为48％～50％。
2. 根据权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述乙醇与氢氟酸的体积比为40∶1。
3. 根据权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述乙醇的质量百分比浓度为85％～100％。
4. 根据权利要求1所述的清洗液，其特征在于，所述氢氟酸的质量百分比浓度为49％。
5. 一种清洗硅片的方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)用去离子水清洗硅片；
(2)采用权利要求1所述的硅片清洗液清洗硅片。
6. 根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述步骤(2)清洗硅片时的温度为21℃～23℃。
7. 根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述步骤(2)清洗硅片的时间为30秒～60秒。
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