[发明专利]一种闪存芯片的物理操作方法

说明书

技术领域

本发明涉及存储领域，尤其涉及该领域内的闪存芯片的物理操作方法。 

背景技术

闪存(Flash Memory)是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器，由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS(基本输入输出程序)、PDA(个人数字助理)、数码相机中保存资料等。 

闪存卡(Flash Card)或闪存盘(USB Flash Drive)是利用闪存(Flash Memory)技术达到存储电子信息的存储器，一般应用在数码相机，电脑，手机，MP3等小型数码产品中作为存储介质。根据不同应用，闪存卡大概有SM卡(SmartMedia)、CF卡(Compact Flash)、MMC卡(MultiMediaCard)、SD卡(Secure Digital)、记忆棒(MemoryStick)、XD卡(XD-Picture Card)和微硬盘(MICRODRIVE)等。 

众所周知，目前对闪存的物理操作有擦除操作、写操作和读操作。以NAND Flash(NAND型闪存)为例，NAND Flash作为闪存技术的一种，其进行物理操作不是以单个的字节为单位而是以固定的块为单位进行。一般每个存储块(Block)包含32个页(Page)，每个页包含512字节，块容量为16KB或大的容量的闪存采用2KB容量的页，其每个块包含64个页，这样的块的容量为128KB。当然现有技术中还有采用大于2KB容量的页的情况(例如采用4KB容量的页)，其原理同前，在此不作赘述。很明显，这种以存储块为单位进行物理操作，即每一个块对应一个起始物理地址，就可以进行连续的读或连续的写，那么，大的存储块对应的物理操作速度较就快，反之小存储块对应的物理操作速度就较慢，这也是目前NAND型闪存类存储器相比其他类闪存读写速度快的原因。

而另一方面，基于这样以存储块为单位的物理操作，一旦一个存储块内出现一个或者多个坏页，该存储块被标记为“坏块”，被标记为“坏块”存储块不能被利用。很明显，坏块内的一些好的页也无法被利用，特别是，如果坏块中有99％的页都是好页的情况下，所述坏块也无法被利用，进而使得整个闪存的有效使用容量会大大降低。 

再者，目前受限于制造工艺水平，现在的MLC(Multi Level Cell)、3LC、4LC类型的闪存稳定性不如以前的SLC(Single Level Cell)闪存，其坏块(Bad Block)比较多，那么其有效使用容量更加低于以前的SLC闪存。 

可见，现有技术还存在缺陷，有待于改进和发展。 

发明内容

本发明的目的在于，提供一种闪存芯片的读写方法，解决现有技术中以块为单位进行物理操作使得闪存芯片的有效使用容量低的问题。 

为解决上述技术问题，本发明的技术方案如下： 

一种闪存芯片的物理操作方法，其中，所述闪存芯片具有若干个坏块存储块，其中包括若干个好的存储块与若干个坏的存储块，所述物理操作方法为：将每个好的存储块分成若干个小块，对于每个存储块，以小块为单位进行数据的写操作或者读操作； 

将每个坏的存储块分成若干个小块，对于每个存储块，以小块为 单位对其中无坏页的小块进行数据的写操作或者读操作； 

所述存储块中的小块的存储容量为一个页或者多个页； 

其中，所述闪存芯片进一步具有一控制层，所述控制层存储每个存储块的块物理地址及其状态属性、每个小块的小块物理地址及其状态属性。所述状态属性、存储块的块物理地址以及小块的小块物理地址的对应关系或者集合记录表均存于所述闪存芯片的控制层中。 

所述的闪存芯片的物理操作方法，其中，所述物理操作方法中，对于每一个存储块，以块为单位进行擦除操作。所述的闪存芯片，其中，每个小块具有一个小块物理地址，按照所述小块的小块物理地址寻址进行以小块为单位的写操作或者读操作。 

所述的闪存芯片的物理操作方法，其中，每个小块具有一个状态属性，所述状态属性为可利用或者不可利用，进行所述以小块为单位的写操作时，如果其状态属性为可利用，则写入，如果其状态属性为不可利用，则跳过；进行所述以小块为单位的存储块的读操作时，如果其状态属性为可利用，则读出，如果其状态属性为不可利用，则跳过。所述的闪存芯片的物理操作方法，其中，每小块的存储容量相等。 

所述的闪存芯片的物理操作方法，其中，每个坏块存储块中的小块的存储容量由其坏页的数量或密度来确定。