[发明专利]电子发射装置及显示装置有效
| 申请号： | 200810066517.5 | 申请日： | 2008-04-09 |
| 公开（公告）号： | CN101556886A | 公开（公告）日： | 2009-10-14 |
| 发明（设计）人： | 肖林;刘亮;姜开利;范守善 | 申请（专利权）人： | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号： | H01J1/46 | 分类号： | H01J1/46;H01J1/48;H01J1/13;H01J1/30;H01J29/02;H01J29/46;H01J31/12 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100084北京市海淀区清华园1*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电子 发射 装置 显示装置 | ||
1.一种电子发射装置，包括一阴极装置及一栅极，所述栅极与所述阴极装置间隔设置并与所述阴极装置电绝缘，其特征在于，所述栅极包括至少一层碳纳米管薄膜和设置在该碳纳米管薄膜表面的多个碳纳米管长线结构。
2.如权利要求1所述的电子发射装置，其特征在于，所述栅极包括多个均匀分布的栅孔。
3.如权利要求2所述的电子发射装置，其特征在于，所述栅孔的孔径为1纳米-20微米。
4.如权利要求1所述的电子发射装置，其特征在于，所述栅极为多层碳纳米管薄膜与多个碳纳米管长线结构相互重叠形成的结构。
5.如权利要求1所述的电子发射装置，其特征在于，所述阴极装置为冷阴极装置或热阴极装置。
6.如权利要求1所述的电子发射装置，其特征在于，所述栅极的厚度为1微米-500微米。
7.如权利要求1所述的电子发射装置，其特征在于，所述碳纳米管薄膜包括多个沿同一方向择优取向排列的碳纳米管。
8.如权利要求7所述的电子发射装置，其特征在于，所述栅极包括多层碳纳米管薄膜，相邻两层的碳纳米管薄膜中的碳纳米管的排列方向形成一夹角α，且0°≤α≤90°。
9.如权利要求1所述的电子发射装置，其特征在于，所述碳纳米管薄膜的厚度为1纳米-100纳米。
10.如权利要求1所述的电子发射装置，其特征在于，所述碳纳米管长线结构包括至少一根碳纳米管长线。
11.如权利要求10所述的电子发射装置，其特征在于，所述碳纳米管长线是由多个首尾相连的碳纳米管片断组成的束状结构或由多个首尾相连的螺旋排列的碳纳米管片断组成的绞线结构。
12.如权利要求1所述的电子发射装置，其特征在于，所述碳纳米管长线结构的直径为1微米-200微米。
13.如权利要求1所述的电子发射装置，其特征在于，所述多个碳纳米管长线结构分别沿第一方向与第二方向平行排列。
14.如权利要求13所述的电子发射装置，其特征在于，所述第一方向与第二方向之间形成一夹角α，0°≤α≤90°。
15.一种显示装置，包括：
一阴极装置；
一与所述阴极装置相对设置的阳极装置；
一栅极，所述栅极设置在所述阴极装置与所述阳极装置之间，并与所述阴极装置和所述阳极装置间隔，其特征在于，所述栅极包括至少一层碳纳米管薄膜和设置于该碳纳米管薄膜表面的多个碳纳米管长线结构。
16.如权利要求15所述的显示装置，其特征在于，所述栅极包括多个均匀分布的栅孔。
17.如权利要求16所述的显示装置，其特征在于，所述栅孔的孔径为1纳米-20微米。
18.如权利要求15所述的显示装置，其特征在于，所述栅极的厚度为1纳米-500微米。
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