[发明专利]太阳能电池无效
| 申请号: | 200810066504.8 | 申请日: | 2008-04-03 |
| 公开(公告)号: | CN101552295A | 公开(公告)日: | 2009-10-07 |
| 发明(设计)人: | 孙海林;姜开利;李群庆;范守善 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/0224 |
| 代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
| 地址: | 100084北京市海淀区清华园1*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 太阳能电池 | ||
技术领域
本发明涉及一种太阳能电池,尤其涉及一种基于碳纳米管的太阳能电池。
背景技术
太阳能是当今最清洁的能源之一,取之不尽、用之不竭。太阳能的利用方式包括光能-热能转换、光能-电能转换和光能-化学能转换。太阳能电池是光能-电能转换的典型例子,是利用半导体材料的光生伏特原理制成的。根据半导体光电转换材料种类不同,太阳能电池可以分为硅基太阳能电池(请参见太阳能电池及多晶硅的生产,材料与冶金学报,张明杰等,vol6,p33-38(2007))、砷化镓太阳能电池、有机薄膜太阳能电池等。
目前,太阳能电池以硅基太阳能电池为主。请参阅图1,为现有技术中的硅基太阳能电池30包含一背电极32、一硅片衬底34、一掺杂硅层36和一上电极38。在硅基太阳能电池中,作为光电转换的材料的硅片衬底通常采用单晶硅制成。因此,要获得高转换效率的硅基太阳能电池,就需要制备出高纯度的单晶硅。所述背电极32设置于所述硅片衬底34的下表面341,且与该硅片衬底34的下表面341欧姆接触。所述硅片衬底34的上表面343形成有多个间隔设置的凹孔342。所述掺杂硅层36形成于所述凹孔342的内表面344,作为光电转换的材料。所述上电极38设置于所述硅片衬底34的上表面343。通常,为了增加太阳光的透过率,一般采用导电金属网格作为上电极38。然而导电金属都是不透明的材料,仍影响了所述太阳能电池30的透光率,降低了太阳能电池30的光电转换效率。为了进一步提高太阳能电池30的光电转换效率,可采用透明的铟锡氧化物层作为上电极38,但由于铟锡氧化物层的机械和化学耐用性不够好,以及铟锡氧化物层作上电极38存在电阻阻值分布不均匀等缺点,导致了现有的太阳能电池30的耐用性低,光电转换效率性能不高。
因此,确有必要提供一种太阳能电池,所得到的太阳能电池具有较高的光电转换效率、耐用性高、成本低、阻值分布均匀及透光性好。
发明内容
一种太阳能电池包括一背电极、一硅片衬底、一掺杂硅层和一上电极。所述背电极设置于所述硅片衬底的下表面,且与该硅片衬底表面欧姆接触。所述硅片衬底的上表面形成有多个间隔设置的凹孔。所述掺杂硅层形成于所述硅片衬底上表面的凹孔的内表面。所述上电极设置于所述硅片衬底的上表面。该上电极包括多个线状碳纳米管结构。
与现有技术相比较,所述太阳能电池具有以下优点:其一,线状碳纳米管结构具有良好的导电性,所得到的太阳能电池具有优异的性能;其二,线状碳纳米管结构具有很好的韧性和机械强度,故,采用线状碳纳米管结构作上电极,可以相应的提高太阳能电池的耐用性。
附图说明
图1是现有技术中太阳能电池的结构示意图。
图2是本技术方案实施例的太阳能电池的侧视结构示意图。
图3是本技术方案实施例的太阳能电池的俯视结构示意图。
图4是本技术方案实施例的多根碳纳米管长线组成的束状结构示意图。
图5是本技术方案实施例的多根碳纳米管长线组成的绞线状结构示意图。
具体实施方式
以下将结合附图详细说明本技术方案太阳能电池。
请参阅图2及图3,本技术方案实施例提供一种太阳能电池10包括一背电极12、一硅片衬底14、一掺杂硅层16和一上电极18。所述背电极12设置于所述硅片衬底14的下表面141,且与所述硅片衬底14的下表面141欧姆接触。所述硅片衬底14的上表面143形成有多个间隔设置的凹孔142。所述掺杂硅层16形成于所述硅片衬底14上表面143的凹孔142的内表面144。所述上电极18设置于所述硅片衬底14的上表面143。该上电极18包括多个线状碳纳米管结构183。
所述太阳能电池10进一步包括一金属层20,该金属层20的材料为铝或者银。所述金属层20设置于所述上电极18和硅片衬底14的上表面143之间,并与所述上电极18和硅片衬底14电接触。所述金属层20与所述上电极18之间形成多个异质结,用以提高所述上电极18与硅片衬底14的电连接,进而提高所述太阳能电池10的光电转换效率。
所述太阳能电池10进一步包括一第一电极22和一第二电极24,该第一电极22和第二电极24的材料为银或者金等。所述第一电极22和第二电极24间隔设置于所述上电极18的上表面181或下表面182,并与上电极18的上表面181或下表面182电接触。所述第一电极22和第二电极24的设置可用于收集流过所述上电极18中的电流。
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H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





