[发明专利]发光二极管装置及其制造方法

权利要求书

1.一种发光二极管装置，其包括一发光二极管磊晶片和一致冷晶片，该发光二极管磊晶片包括一基板和一设置在该基板表面的半导体层，其特征在于：该致冷晶片直接形成在该基板的远离该半导体层的表面。

2.如权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于：该基板是绝缘基板，该致冷晶片包括多个第一电极、多个半导体晶粒和多个第二电极，该第一电极间隔设置在该基板的远离该半导体层的表面，该半导体晶粒间隔设置在该第一电极远离该半导体层的表面，该第二电极设置在该半导体晶粒远离该半导体层的一端。

3.如权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于：该基板是导电基板，该致冷晶片包括一绝缘层、多个第一电极、多个第二电极和多个半导体晶粒，该绝缘层设置在该基板远离该半导体层的表面，该第一电极间隔设置在该绝缘层内表面，该半导体晶粒设置在该第一电极内表面，该第二电极间隔设置在该半导体晶粒远离该半导体层的一端。

4.如权利要求2或3所述的发光二极管装置，其特征在于：该多个半导体晶粒包括多个P型半导体晶粒和多个N型半导体晶粒，每一该P型半导体晶粒和N型半导体晶粒相互交替间隔设置，且夹在该第一电极和第二电极之间。

5.如权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于：该基板是绝缘基板，该致冷晶片包括一第一电极、多个类型相同的半导体晶粒和一第二电极，该第一电极设置在该基板远离该半导体层的表面，该第一电极和第二电极相对设置，使得该半导体晶粒夹在该第一电极和第二电极之间。

6.如权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于：该基板是导电基板，该致冷晶片包括多个类型相同的半导体晶粒和一电极，该半导体晶粒间隔设置在该基板远离该半导体层的表面，该电极设置在该半导体晶粒远离该半导体层的一端。

7.如权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于：该基板是导电基板，该致冷晶片包括一矩形导电块、一绝缘层、多个电极和多个半导体晶粒，该矩形导电块包括垂直于该基板的多个侧面，该绝缘层设置在该基板的该矩形导电块的外围区域，该半导体晶粒设置在该绝缘层表面，且一端连接该侧面，该电极设置在该半导体晶粒远离该矩形导电块的一端。

8.如权利要求1所述的发光二极管装置，其特征在于：该发光二极管装置进一步包括一散热器，且该散热器与该致冷晶片粘合固定。

9.一种发光二极管装置，其包括一发光二极管磊晶片和一致冷晶片，该发光二极管磊晶片包括一基板和一设置在该基板表面的半导体层，其特征在于：该致冷晶片的冷端直接吸收该发光二极管磊晶片产生的热量，并传导到热端。

10.一种发光二极管装置的制造方法，其包括如下步骤：提供一基板，在该基板表面形成一半导体层；在该基板远离该半导体层的表面直接形成致冷晶片；提供一散热器，并与该致冷晶片粘合固定。