[发明专利]发光二极管无效
| 申请号： | 200810066027.5 | 申请日： | 2008-02-01 |
| 公开（公告）号： | CN101499507A | 公开（公告）日： | 2009-08-05 |
| 发明（设计）人： | 黄中元;郭哲豪;余业飞;杨林;查新祥 | 申请（专利权）人： | 富准精密工业（深圳）有限公司;鸿准精密工业股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518109广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 | ||
1.一种发光二极管，包括一发光晶片以及设于该发光晶片外围的一封装 体，该发光晶片具有一发光面，该封装体对应所述发光面具有一出光面，其 特征在于：该出光面的球面状的顶端上沿周向设有若干圈凹槽，该凹槽的外 径由上而下逐渐增大，每一圈凹槽由一第一槽壁以及一第二槽壁合围形成， 该第一槽壁形成为锥面的一部分，且该第一槽壁所在圆锥的锥顶位于发光晶 片的发光面上，该发光晶片发出的光经由该出光面上的第二槽壁发射出去。
2.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：该第一槽壁所在圆锥 的锥顶位于所述发光面的中心点处。
3.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：该第一槽壁为每一圈 凹槽的上槽壁，该第二槽壁为每一圈凹槽的下槽壁。
4.如权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：该第一槽壁为每一圈 凹槽的下槽壁，该第二槽壁为每一圈凹槽的上槽壁。
5.如权利要求3或4所述的发光二极管，其特征在于：该第二槽壁形成 为向外凸出的圆周弧面。
6.如权利要求3或4所述的发光二极管，其特征在于：该第二槽壁形成 为向内凹进的圆周弧面。
7.如权利要求3或4所述的发光二极管，其特征在于：该第二槽壁形成 为锥面的一部分，但该第二槽壁所在圆锥的锥顶不位于发光晶片的发光面上。
8.如权利要求3或4所述的发光二极管，其特征在于：该第二槽壁为下 述形状的任意组合：向外凸出的圆周弧面、向内凹进的圆周弧面、锥面的一 部分。
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