[发明专利]太阳能电池有效
| 申请号: | 200810065797.8 | 申请日: | 2008-03-07 |
| 公开(公告)号: | CN101527327A | 公开(公告)日: | 2009-09-09 |
| 发明(设计)人: | 孙海林;姜开利;李群庆;范守善 | 申请(专利权)人: | 清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 |
| 主分类号: | H01L31/042 | 分类号: | H01L31/042;H01L31/052;H01L31/0224 |
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| 地址: | 100084北京市海淀区清华园1*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 太阳能电池 | ||
1.一种太阳能电池,其包括:
一硅片衬底,该硅片衬底的上表面形成有多个间隔设置的凹孔;
一背电极,该背电极设置于所述硅片衬底的下表面,且与该硅片衬底表面欧 姆接触;
一掺杂硅层,该掺杂硅层形成于所述凹孔的内表面;
一上电极,该上电极设置于所述硅片衬底的上表面;
其特征在于,进一步包括多个金属层,且所述上电极包括一碳纳米管结构, 该碳纳米管结构对应所述凹孔的部分悬空设置,且该碳纳米管结构既用于透 过太阳光又用于收集电流,所述多个金属层分别设置于所述硅片衬底的上表 面和所述碳纳米管结构之间。
2.如权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述碳纳米管结构包括均匀 分布的碳纳米管。
3.如权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述碳纳米管结构包括无序 碳纳米管层或者有序碳纳米管层。
4.如权利要求3所述的太阳能电池,其特征在于,所述无序碳纳米管层包括多 个无序排列的碳纳米管。
5.如权利要求3所述的太阳能电池,其特征在于,所述有序碳纳米管层包括多 个有序排列的碳纳米管。
6.如权利要求3所述的太阳能电池,其特征在于,所述有序碳纳米管层包括至 少一有序碳纳米管薄膜,该有序碳纳米管薄膜通过直接拉伸一碳纳米管阵 列获得,且包括沿不同方向排列或沿同一方向排列的碳纳米管。
7.如权利要求6所述的太阳能电池,其特征在于,所述有序碳纳米管薄膜包括 多个首尾相连且长度相等的碳纳米管束,该碳纳米管束的两端通过范德华 力相互连接,每个碳纳米管束包括多个长度相等且平行排列的碳纳米管。
8.如权利要求6所述的太阳能电池,其特征在于,所述有序碳纳米管层包括至 少两个重叠设置的有序碳纳米管薄膜。
9.如权利要求8所述的太阳能电池,其特征在于,所述相邻两个有序碳纳米管 薄膜中的碳纳米管之间具有一交叉角度α,且0度≤α≤90度。
10.如权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述硅片衬底为P型单晶硅 片,该P型单晶硅片的厚度为200微米~300微米。
11.如权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述多个凹孔的间距为10 微米~30微米,深度为50微米~70微米。
12.如权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,所述掺杂硅层为掺杂有磷或 者砷的N型硅层。
13.如权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,该太阳能电池进一步包括一 第一电极和一第二电极,该第一电极和第二电极间隔设置于所述碳纳米管 结构的上表面,并与该碳纳米管结构的上表面电接触。
14.如权利要求1所述的太阳能电池,其特征在于,该太阳能电池进一步包括一 减反层,该减反层设置于所述碳纳米管结构的上表面或者下表面。
15.如权利要求14所述的太阳能电池,其特征在于,所述减反层的材料为二氧 化钛或者氧化锌铝。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的





