[发明专利]一种防止存储器读损的方法及装置

说明书

技术领域

本发明涉及存储器的数据管理技术，特别涉及一种防止存储器读损的方法及装置。

背景技术

随着计算机技术的普及，出现了各种类型的存储器，如可擦可编程只读存储器(EPROM)和非易失性闪存(FLASH)等，其中，FLASH包括与非闪存(NANDFLASH)和或非闪存(NORFLASH)。由于NANDFLASH具有按页为单位进行写操作，按块为单位进行擦除和读取的特点，比NORFLASH具有快编程和快擦除的功能，所以NANDFLASH的使用也越来越广泛。NANDFLASH也可以作为具有分块存储功能的存储器的代表。

随着NANDFLASH的需求量越来越大，NANDFLASH的容量要求也越来越大。由于NANDFLASH通常采用多层式存储(MLC，Multi Level Cell)技术，所以由MLC的特性决定，随着NANDFLASH的容量增大，NANDFLASH的读耐压性越来越差。读耐压性表示NANDFLASH块中的块数据的最大读取次数，当超过该最大读取次数时，NANDFLASH该块的块数据就会丢失或损坏，一般NANDFLASH的读耐压性小于等于10万次。

因此，在实际应用中，随着对NANDFLASH同一块的块数据的读次数增加，造成NANDFLASH块中的块数据读取错误的情况越来越多，进而造成存储在NANDFLASH块中的数据丢失。推广来说，具有分块存储功能或分区存储功能的存储器也存在随着同一块中块数据的读次数增加，造成具有分块存储功能或分区存储功能的存储器块中的块数据读取错误的情况越来越多，进而造成存储在具有分块存储功能或分区存储功能的存储器块中的块数据丢失的问题。

发明内容

本发明提供一种防止存储器读损的方法，该方法能够防止具有分块存储功能的存储器的块数据读损。

本发明还提供一种防止存储器读损的装置，该装置能够防止具有分块存储功能的存储器的块数据读损。

根据上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：

一种防止存储器读损的方法，该方法包括：

A、设定时间周期内检测存储器块中的块数据读取次数，判断是否超过设定的读取次数，如果是，执行步骤B；如果否，返回步骤A继续执行；

B、将所述块中的块数据复制到设置的替换块中，后续到所述替换块中读取所述块数据。

较佳地，所述时间周期是根据读取存储器的块数据的读取速率设定的；所述读取次数是根据存储器的读耐压性设置的。

较佳地，设置逻辑块表，该逻辑块表的每个表项用于标识所对应的一个存储器块的访问地址及状态；

步骤B所述将所述块中的块数据复制到替换块中为：确定替换块且将所述块中的块数据复制到替换块中，在所述逻辑块表中的对应所述块的访问地址和状态映射到替换块上；

步骤B所述后续到所述替换块中读取所述块数据的过程为：根据逻辑块表中的对应所述块的访问地址，确定映射的替换块，从替换块中读取所述块数据。

较佳地，所述块为存储器中所有存储块数据的块，或者为存储器中设定的频繁被读取块数据的块。

较佳地，在步骤B之后，该方法还包括：擦除所述块中的块数据，在逻辑块表中所述块的相应表项上更新为所述块的替换块的访问地址以及记录所述块的状态为空闲块状态。

较佳地，所述存储器为具有分块存储功能或分区存储功能的存储器。

较佳地，所述具有块存储功能的存储器为与非闪存NANDFLASH。

一种防止存储器读损的装置，该装置包括存储模块、读取次数统计模块、判断模块以及替换模块，其中，

存储模块，用于存储存储器块中的块数据的访问地址以及状态，根据读取次数统计模块的指示更新所述块的读取次数；

读取次数统计模块，用于统计对存储器块中的块数据的读取次数，指示存储模块更新所述块的读取次数；

判断模块，用于从存储模块获取存储器块的读取次数，判断是否在设定时间周期内超过了设定的读取次数，如果是，向替换模块发送替换指示，如果否，继续判断；

替换模块，用于根据判断模块的替换指示，将所述块中的块数据复制到设置的替换块中，将存储模块中存储器块的访问地址以及状态映射到替换块上。