[发明专利]基准源启动电路有效

专利信息
申请号: 200810065029.2 申请日: 2008-01-09
公开(公告)号: CN101482761A 公开(公告)日: 2009-07-15
发明(设计)人: 谷文浩;谭润钦;汪明亮 申请(专利权)人: 辉芒微电子(深圳)有限公司
主分类号: G05F3/26 分类号: G05F3/26
代理公司: 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 代理人: 郭伟刚
地址: 518057广东省深圳*** 国省代码: 广东;44
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 基准 启动 电路
【说明书】:

技术领域

发明涉及基准源启动电路,更具体地说,涉及一种带有窄脉冲零功耗的基准源启动电路。

背景技术

随着集成电路工艺和设计水平的发展,基准广泛的运用于模拟电路中,如LDO、ADC/DAC等。它是整个芯片的动力之源,也是芯片能够工作的前提。因此基准源电路的启动电路尤为重要,在电源上的电或者使能信号转变时,它能够快速的启动基准源电路,并为芯片供电。

如图1所示的电路经常用于基准源电路的启动电路,其中,MOS管M1、M2、M3、M4串接,其导通电阻会比较大。当启动时,M1、M2、M3、M4管导通,M6、M7管处于关断状态,电流流到节点Node2,Node2电位被拉高,然后NMOS管M5导通,将V1电位拉低,从而启动基准源的内部电路。当基准源电路启动后,基准电压Vref为高电平,M6管导通,Node2的电位被拉低,M5管处于关断状态,电路启动完毕。

但是这种结构存在两个不足之处:一方面,电路启动后,由于启动电路的Node2的电位是低电平,启动电路将一直有电流消耗,这在一些低功耗电路的场合是很难适用的,而现在大多数的基准源启动电路都有相似的原理,且都要一直消耗功耗;另一方面,在低电压下Node2的电位并不能在启动时拉的很高,NMOS管M5工作在亚阈值区,V1的电位不能被拉的很低,这影响基准源电路的启动速度,甚至会产生振荡。

发明内容

本发明要解决的技术问题在于,针对现有技术的上述启动基准源电路额外消耗功耗以及基准源电路启动速度的缺陷,提供一种基准源启动电路。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是:

一种基准源启动电路,其特征在于,包括循环控制电路、控制电路,以及分别提供镜像电流给循环控制电路和控制电路的电流镜电路,使所述循环控制电路输出端电位被拉低进而启动基准源电路,以及使所述控制电路电位被镜像电流拉高进而使所述电流镜电路在基准源电路启动后关断。

在本发明所述的基准源启动电路中,所述电流镜电路包括电流镜PMOS管M1、M2,所述电流镜PMOS管M1、M2的栅极与所述控制电路相连,源极同时接电源,所述PMOS管M1的漏极接所述循环控制电路输入端,所述PMOS管M2的漏极与所述控制电路相连。

在本发明所述的基准源启动电路中,所述控制电路包括电容器C1,所述电容器C1一端接地,另一端与所述电流镜电路相连。

在本发明所述的基准源启动电路中,所述基准源启动电路还包括脉冲生成电路,所述脉冲生成电路提供窄脉冲信号到控制电路,进而使电流镜电路重新导通。

在本发明所述的基准源启动电路中,所述脉冲生成电路包括脉冲生成器和NMOS管M6,所述脉冲生成器的一端与使能信号连接,另一端与所述NMOS管M6的栅极连接,所述NMOS管M6的栅极连接所述脉冲生成器的输出端,源极接地,漏极接所述控制电路。

在本发明所述的基准源启动电路中,所述循环控制电路包括NMOS管M3、M4、M5,所述NMOS管M3、M4、M5的源极接地,所述NMOS管M3的栅极连接基准源电路的基准电压,漏极接所述电流镜电路输出端,所述NMOS管M4的栅极连接使能信号的反向信号,漏极接所述电流镜电路输出端,所述NMOS管M5的栅极连接所述电流镜电路输出端,漏极与基准源电路连接。

实施本发明的基准源启动电路,具有以下有益效果:在基准源电路启动以后,所述控制电路电位被镜像电流拉高进而使所述电流镜电路关断,所以该基准源启动电路几乎没有功耗损失。另外,本发明针对基准源启动电路的启动速度问题,在上述结构中增加了一个脉冲生成电路,由脉冲生成电路提供窄脉冲信号到控制电路,进而使所述电流镜电路重新导通,加快基准源电路的启动速度并防止振荡。

附图说明

下面将结合附图及实施例对本发明作进一步说明,附图中:

图1是传统的基准源启动电路的原理图;

图2是本发明零功耗的基准源启动电路一个实施例的电路原理图;

图3是本发明带有窄脉冲零功耗的基准源启动电路的实施例的电路原理图。

具体实施方式

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于辉芒微电子(深圳)有限公司,未经辉芒微电子(深圳)有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810065029.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top