[发明专利]基于水平狭缝平板和光子晶体线缺陷波导的电光调制器无效
申请号: | 200810063273.5 | 申请日: | 2008-07-29 |
公开(公告)号: | CN101334534A | 公开(公告)日: | 2008-12-31 |
发明(设计)人: | 祁彪;王帆;郑伟伟;肖司淼;王明华;郝寅雷;江晓清;杨建义 | 申请(专利权)人: | 浙江大学 |
主分类号: | G02F1/035 | 分类号: | G02F1/035;G02F1/065;G02F1/13;G02F1/35 |
代理公司: | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人: | 林怀禹 |
地址: | 310027浙*** | 国省代码: | 浙江;33 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 基于 水平 狭缝 平板 光子 晶体 缺陷 波导 电光 调制器 | ||
1.一种基于水平狭缝平板和光子晶体线缺陷波导的电光调制器,包括1×2耦合器,两条干涉臂波导,2×1耦合器和电极构成的马赫-曾德尔电光调制器,其特征在于:两条结构相同的干涉臂波导在垂直方向上采用水平狭缝平板波导结构,干涉臂波导在水平方向采用二维光子晶体线缺陷波导结构。
2.根据权利要求1所述的一种基于水平狭缝平板和光子晶体线缺陷波导的电光调制器,其特征在于:所述的水平狭缝平板波导结构,包括绝缘体材料层,半导体材料层,电光材料层和衬底,在衬底依次设置第一半导体材料层,电光材料层,第二半导体材料层和绝缘体材料层,在垂直干涉臂波导传输方向两侧分别设置正电极和负电极,正电极制作到第二半导体材料层底部,负电极制作到第一半导体材料层底部;在两电极之间的干涉臂上设置晶格孔,从绝缘体材料层制作到第一半导体材料层底部。
3.根据权利要求1所述的一种基于水平狭缝平板和光子晶体线缺陷波导的电光调制器,其特征在于:所述的二维光子晶体线缺陷波导结构采用的晶格排列为三角形或正方形。
4.根据权利要求2所述的一种基于水平狭缝平板和光子晶体线缺陷波导的电光调制器,其特征在于:所述的电光材料层采用电光聚合物材料、电光陶瓷材料、液晶材料或者掺纳米硅的二氧化硅非线性材料。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于浙江大学,未经浙江大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810063273.5/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:变导轨防盗钥匙
- 下一篇:用于花梳栉横移的装置