[发明专利]一种氧化铕红光发光薄膜及其制备方法无效
| 申请号： | 200810062422.6 | 申请日： | 2008-06-06 |
| 公开（公告）号： | CN101298558A | 公开（公告）日： | 2008-11-05 |
| 发明（设计）人： | 王龙成;丁高松;贾红;俞晓晶;金达莱;王耐艳;席珍强 | 申请（专利权）人： | 浙江理工大学 |
| 主分类号： | C09K11/78 | 分类号： | C09K11/78;C25D9/04 |
| 代理公司： | 杭州求是专利事务所有限公司 | 代理人： | 林怀禹 |
| 地址： | 310018浙江省杭州市江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 氧化 红光 发光 薄膜 及其 制备 方法 | ||
1、一种氧化铕红光发光薄膜，其特征在于：在单晶硅衬底的一个侧面沉积有一层氧化铕红光发光薄膜。
2、根据权利要求1所述的一种氧化铕红光发光薄膜，其特征在于：所述的该发光薄膜的化学式为Eu2O3，该薄膜材料在616～619纳米处存在尖锐的红光发射光谱。
3、一种氧化铕红光发光薄膜的制备方法，其特征在于该方法的步骤如下：
1)将可溶性铕盐，溶于去离子水中，搅拌，配成摩尔浓度0.01～0.5mol/l的铕盐溶液；
2)取上述铕盐溶液，通过恒温水浴控制溶液温度在40℃～80℃；
3)利用由工作电极、对电极和参比电极组成的三电极电化学池进行单晶硅片基底上的薄膜沉积，将三电极插入铕盐溶液，恒温30分钟，调节工作电极与Ag/AgCl/KCl参比电极间的电压在-0.85V～-1.4V之间，沉积时间控制在20分钟～1小时；
4)将沉积好的薄膜，用去离子水清洗，并干燥，随后，将薄膜在800～1000℃下退火烧结30分钟～2小时。
4、根据权利要求2所述的一种氧化铕红光发光薄膜的制备方法，其特征在于：所述的三电极电化学池中，工作电极为单晶硅片，对电极为铂金电极、金电极以及石墨电极，参比电极为Ag/AgCl/饱和KCl溶液电极。
5、根据权利要求2所述的一种氧化铕红光发光薄膜的制备方法，其特征在于：所述的可溶性铕盐为硝酸铕或氯化铕。
6、根据权利要求2所述的一种氧化铕红光发光薄膜的制备方法，其特征在于：该薄膜成膜均匀致密无开裂，在616～619纳米处存在尖锐的红光发射光谱。
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