[发明专利]微-纳流控芯片的二维纳米通道的制备方法

权利要求书

1.一种微一纳流控芯片的制备方法，其特征是将二氧化硅纳米线放置载玻片上作为模板；通 过热压法，将二氧化硅纳米线嵌入聚碳酸酯基片的上表面；用氢氟酸将嵌入聚碳酸酯基片 中的二氧化硅纳米线溶解后，在聚碳酸酯基片表面形成二维纳米通道；将形成二维纳米通 道的聚碳酸酯基片与聚二甲基硅氧烷盖片封合，形成密封的二维纳米通道，二氧化硅纳米 线直径在20-900纳米，长度在5微米到4厘米，将加工有微米通道的盖片与加工有二维 纳米通道的基片相封接，二维纳米通道与微米通道相连，得到集成的微-纳流控芯片。

2.根据权利要求1所述的微-纳流控芯片的制备方法，其特征是所用的载玻片上放置纳米线 为直线形，阵列形或弧形，用于压制不同形状的二维纳米通道。

3.根据权利要求1所述的微-纳流控芯片的制备方法，其特征是二维纳米通道的宽度在 20-900纳米之间，长度在5微米到4厘米之间，形状为直线形，阵列形，弧形或相互交 叉。

4.根据权利要求1所述的微-纳流控芯片的制备方法，其特征是交叉连接的复杂的二维纳米 通道，使用多根纳米线作为模板，通过多次热压法制作。

5.根据权利要求1所述的微-纳流控芯片的制备方法，具体步骤是：

●用热拉伸法制备纳米线；

●将一块洁净平整的聚碳酸酯基片盖在纳米线和载玻片上；

●将聚碳酸酯基片，纳米线和载玻片放入热压机中热压，使纳米线嵌入聚碳酸酯基片；

●将载玻片和聚碳酸酯基片剥离，用刻蚀剂溶解基片上的纳米线，露出纳米通道；

●去除了纳米线的聚碳酸酯基片与盖片封合，形成二维纳米通道。