[发明专利]利用压电薄膜体声波器件的抗体检测生物芯片

权利要求书

1、利用压电薄膜体声波器件的抗体检测生物芯片，包括谐振器FBAR，在谐振器FBAR上设有上电极、下电极和布拉格反射层全反射膜，其特征在于所述谐振器FBAR上的上电极与下电极之间设有压电薄膜，所述布拉格反射层全反射膜包括高声阻抗和低声阻抗，高声阻抗由金属Mo构成，低声阻抗由金属Al构成；所述FBAR的工作频率在0.1-10GHz，Q值范围100-2000；在上电极上镀有金属层，该金属层上附着有蛋白。

2、根据权利要求1所述的利用压电薄膜体声波器件的抗体检测生物芯片，其特征在于所述谐振器FBAR的结构为表面气囊结构、体腔结构和SMR结构中的一种。

3、根据权利要求1所述的利用压电薄膜体声波器件的抗体检测生物芯片，其特征在于所述FBAR的上电极、下电极由金属Mo、Cr、Al或W中的一种材料构成。

4、根据权利要求1所述的利用压电薄膜体声波器件的抗体检测生物芯片，其特征在于所述上电极和下电极的厚度为10-1000纳米。

5、根据权利要求1所述的利用压电薄膜体声波器件的抗体检测生物芯片，其特征在于所述压电薄膜为A1N材料层，其厚度为0.1-10微米。

6、根据权利要求1所述的利用压电薄膜体声波器件的抗体检测生物芯片，其特征在于所述上电极上镀有的金属层由金属Au构成。

7、根据权利要求1所述的利用压电薄膜体声波器件的抗体检测生物芯片，其特征在于所述高声阻抗、低声阻抗每层厚度为四分之一波长，高、低声阻抗层依次按照交替直流溅射淀积在FBAR的硅片上，高、低声阻抗层的层数为3-7层。

8、根据权利要求2所述的利用压电薄膜体声波器件的抗体检测生物芯片，其特征在于所述FBAR的上电极、下电极由金属Mo、Cr、Al或W中的一种材料构成。

9、根据权利要求2所述的利用压电薄膜体声波器件的抗体检测生物芯片，其特征在于所述上电极和下电极的厚度为10-1000纳米。

10、根据权利要求2所述的利用压电薄膜体声波器件的抗体检测生物芯片，其特征在于所述高声阻抗、低声阻抗每层厚度为四分之一波长，高、低声阻抗层依次按照交替直流溅射淀积在FBAR的硅片上，高、低声阻抗层的层数为3-7层。