[发明专利]大功率发光二极管芯片的一种封装结构与制造方法无效
申请号: | 200810059695.5 | 申请日: | 2008-02-13 |
公开(公告)号: | CN101510542A | 公开(公告)日: | 2009-08-19 |
发明(设计)人: | 张秀梅;龚家胤 | 申请(专利权)人: | 张秀梅;龚家胤 |
主分类号: | H01L25/00 | 分类号: | H01L25/00;H01L25/075;H01L23/34;H01L23/488;H01L21/50;H01L33/00 |
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地址: | 310018浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 大功率 发光二极管 芯片 一种 封装 结构 制造 方法 | ||
1.一种发光二极管芯片的封装结构,至少包含:
至少一发光二极管芯片;
一封装框架,是由一散热载体、复数个电极与一绝缘材料之反射板框架所一体成型构成,该散热载体与该复数个电极是由一金属材料所构成,绝缘材料充满在散热载体与复数个电极之间,使该散热载体与任一该电极、以及任二该电极之间是电气绝缘的,并在其上方同时形成中空的反射板框架,可以暴露出散热载体之上表平面以及该复数个电极之上表平面的至少部分面积,该发光二极管芯片是黏固于该散热载体之上表平面;
复数条导线,是连接该发光二极管芯片的电极与该复数个电极;以及一填充物,是由一透光性材料构成,填充于中空的反射板框架内以封固该发光二极管芯片与该复数个导线。
2.如权利要求1所述的封装结构,其中该封装框架之该散热载体是位于该封装框架底部中心,其上表平面由反射板之底面向上透出,下表平面分别向下与向外透出。
3.如权利要求1所述的封装结构,其中该电极则位于散热载体四周适当位置,其上表平面部分由封装框架之反射板之底面向上透出,下表平面分别向下与向外透出。
4.如权利要求1所述的封装结构,其中该反射板框架是以一光反射绝缘材质构成。
5.如权利要求1所述的封装结构,该散热载体之上表面,有一个可用于固晶与涂布萤光体之用凹槽。
6.如权利要求1所述的封装结构,其中该发光二极管芯片是包覆于一适量的萤光体内。
7.一种发光二极管芯片的封装结构制造方法,是至少包含下列几个步骤:
(1)在一金属板上,形成矩阵方式排列的复数个封装结构的封装框架之热 电分离载体,该热电分离载体包含一散热载体与复数个电极,且该复数个电极是围绕在该散热载体周边;
(2)步骤(1)完成后,在矩阵排列的该复数个热电分离载体之散热载体与复数个电极之间注入绝缘材料,同时在对应的热电分离载体上方形成同样矩阵排列的中空反射板体,反射板体形成后在各自的反射板底面可以暴露出散热载体之上表平面以及该复数个电极的上表平面的至少部分面积,其散热载体之下表平面以及该复数个电极的下表平面分别向下与向外透出;
(3)在每个散热载体之上表平面,进行至少一发光二极管芯片的固晶,并以复数条导线将该发光二极管芯片的电极分别连接到该周边复数个电极的上表平面;
(4)在每个反射板的凹孔内施以一透光性填充物包覆该凹孔所暴露出来的该发光二极管芯片、该复数条导线;以及
(5)将该复数个封装结构切割分离。
8.如权利要求7所述的封装结构制造方法,其中该步骤(1)是蚀刻或金属加工方法。
9.如权利要求7所述的封装结构制造方法,其中该步骤(2)是由绝缘材料一体压注成型,且反射板之凹孔壁面具有一高反射率涂装铝膜。
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