[发明专利]一种角位移传感器有效

专利信息
申请号: 200810059178.8 申请日: 2008-01-18
公开(公告)号: CN101216324A 公开(公告)日: 2008-07-09
发明(设计)人: 张平;郗大光;刘小吉;杨延相 申请(专利权)人: 浙江飞亚电子有限公司
主分类号: G01D5/14 分类号: G01D5/14
代理公司: 浙江杭州金通专利事务所有限公司 代理人: 徐关寿
地址: 310018浙江省杭州*** 国省代码: 浙江;33
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摘要:
搜索关键词: 一种 位移 传感器
【权利要求书】:

1.一种角位移传感器,包括一个旋转件,旋转件包括一个随旋转体旋转的磁性元件;

一磁感应元件,用以磁性元件旋转时,检测到磁场强度增量与角度增量成正比输出;

其特征在于所述磁性元件表面的磁场方向与旋转件之轴线方向大致平行。

2.如权利要求1所述角位移传感器,其特征在于:磁感应元件包括一个或多个霍尔型传感器。

3.如权利要求2所述角位移传感器,其特征在于,包括一个上磁轭和一个下磁轭,所述磁性元件和霍尔型传感器位于上磁轭和下磁轭之间。

4.如权利要求3所述角位移传感器,其特征在于:上磁轭为一个平板结构并围绕旋转件之轴线布置,上磁轭与磁性元件所形成的磁场垂直。

5.如权利要求4所述角位移传感器,其特征在于:下磁轭围绕旋转件之轴线且大致平行于上磁轭布置,下磁轭之布置范围大于磁性元件可到达的角度区间。

6.如权利要求5所述角位移传感器,其特征在于在;上磁轭包括一个下凸起部分,下凸起部与下磁轭形成一个恰似平行的磁场。而霍尔型传感器置于平行磁场之中。

7.如权利要求5所述角位移传感器,其特征在于:下磁轭包括一个上凸起部分,上凸起部与上磁轭之间形成一个恰似的平行磁场,而霍尔型传感器置于平行磁场之中。

8.如权利要求6所述角位移传感器,其特征在于:下磁轭包括一个上凸起部与上磁轭之下凸起部之间形成一个恰似的平行磁场,而霍尔型传感器置于此平行磁场之中。

9.如权利要求8所述角位移传感器,其特征在于:所述磁性元件的宽度和厚度分别或同时沿周向是变化的,其变化方式有利于改进输出信号的线性度。

10.如权利要求1~9之任一项所述角位移传感器,其特征在于:包括一个参考磁性元件,参考磁性元件在上磁轭和下磁轭之间。

11.如权利要求10所述角位移传感器,其特征在于:参考磁性元件固定于旋转件中。

12.如权利要求10所述角位移传感器,其特征在于:所述磁性元件与旋转体由注塑方式整体成型或胶合整体成型。

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