[发明专利]一种膏桐离体叶片植株再生的方法无效

专利信息
申请号: 200810058988.1 申请日: 2008-09-27
公开(公告)号: CN101361457A 公开(公告)日: 2009-02-11
发明(设计)人: 马焕成;唐军荣;胥辉;何承忠;欧光龙 申请(专利权)人: 西南林学院
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00;C12N5/04
代理公司: 昆明祥和知识产权代理有限公司 代理人: 王俪霏
地址: 650224云南*** 国省代码: 云南;53
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摘要:
搜索关键词: 一种 膏桐离体 叶片 植株 再生 方法
【权利要求书】:

1.一种膏桐离体叶片植株再生的方法,包括无菌苗的获得,不定芽诱导,不定芽增殖,不定芽的生根培养,生根苗的炼苗与移栽,其特征在于各步骤具体如下:

(1)选种,催芽,消毒后取种胚接种于MS+6-BA0.1mg/L+NAA0.05mg/L培养基上,光强为1000-3000Lux,光照时间12小时每天,温度在25-28℃间,7天后便可得到生长健壮的无菌苗;

(2)取无菌苗的叶片,接种在MS+6-BA1.0mg/L+KT1.0mg/L+NAA0.03mg/L的培养基上,光强为1000-3000Lux,光照时间12小时每天,温度在25-28℃间,25天后便可在叶片上直接产生大量的不定芽;

(3)将获得的嫩芽转接到增殖培养基MS+6-BA0.5mg/L+KT0.5mg/L+NAA0.05mg/L上,20天后便又可生成更多的不定芽,光照时间12小时每天,光强为1000-3000Lux,温度在25-28℃间;

(4)将经过反复转接后的不定芽切下,转至生根培养基MS+NAA0.1-0.3mg/L上,15天后便开始生根,光强为3000-5000Lux,光照时间12小时每天,温度在25-28℃间;

(5)将生根苗在自然光照条件下,过渡一星期,取出生根苗,洗净沾附在小苗根部的培养基,用0.02mg/LNAA的溶液浸泡1分钟,便可移栽到经过灭菌的基质当中。

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