[发明专利]一种制备硅基金属纳米管的方法无效

专利信息
申请号: 200810058837.6 申请日: 2008-08-22
公开(公告)号: CN101343034A 公开(公告)日: 2009-01-14
发明(设计)人: 马文会;王华;杨斌;徐宝强;刘大春;戴永年;马婷婷;魏奎先;伍继君;熊恒;梅向阳;秦博;杨亚娣;汪镜福 申请(专利权)人: 昆明理工大学
主分类号: B82B3/00 分类号: B82B3/00;C25D5/00
代理公司: 昆明慧翔专利事务所 代理人: 程韵波
地址: 650031*** 国省代码: 云南;53
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摘要:
搜索关键词: 一种 制备 基金 纳米 方法
【权利要求书】:

1.一种制备硅基金属纳米管的方法,其特征在于:本发明按以下的步骤实施:

(1)清洗:以市售电阻率为0.01Ω·cm~0.5Ω·cm的P型硅片为原料,将其放入浓 度为50~99.9wt%的丙酮溶液中进行超声清洗1分~30分;再进行浓度为50~99.9wt %无水乙醇超声清洗1分~30分;放入浓度为60~99.9wt%的硫酸和浓度为10~60 wt%的双氧水按体积比为0.5~10∶1的混合溶液中浸泡至不再有气泡放出为止;取 出硅片用去离子水清洗1~10次;将清洗过的硅片放入浓度为5~60wt%的氢氟酸与 去离子水按体积比为0.5~10∶1的混合液中漂洗5-10分钟;最后将硅片分别放入浓 度为50~99.9wt%的丙酮溶液和浓度为50~99.9wt%无水乙醇中超声清洗5分~30 分;将处理后的硅片置于50~99.9wt%无水乙醇或50~99.9wt%丙酮中待用;

(2)电化学腐蚀:清洗过的硅片按体积比为0.5~1∶5,浓度为5~60wt%氢氟酸 和50~99.9wt%无水乙醇的混合液中进行电化学腐蚀5分~120分,其电流密度为 5mA/cm2~180mA/cm2

(3)沉积金属:将腐蚀过后的硅片先用去离子水清洗,再浸入含有金属种的混 合溶液中沉积金属5~30分钟,最后取出硅片清洗干净,得到纳米管成品,

所述的含有金属种铜和锌的混合溶液为氢氟酸浓度为1%,硝酸铜浓度为200ppb 或硝酸锌浓度为300ppb,

所述的含有金属种钛和钴的混合溶液为氢氟酸浓度为2%,硝酸钛浓度为3000ppb 或硝酸钴浓度为600ppb;

所述的含有金属种铬和镁的混合溶液为氢氟酸浓度为5%,硝酸铬浓度为6000ppb 或硝酸镁浓度为1000ppb。

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