[发明专利]锑掺杂氧化锡薄膜载体材料的制备方法

权利要求书

1、一种锑掺杂氧化锡薄膜载体材料的制各方法，其特征在于经过下列工艺步骤：

(1)将预先制备的锑掺杂氧化锡溅射靶材经打磨后，用分析纯丙酮和去离子水清洗，然后在120～160℃保温2～3小时，以去除表面油污等杂质；

(2)采用普通载玻片作为薄膜基底材料，在溅射前先用分析纯丙酮和去离子水清洗，之后在80～90℃保温1～2小时，以去除表面油污等杂质；

(3)将经步骤(1)和(2)预处理过的靶材及玻片放入磁控溅射仪中，溅射前先对靶材预溅射5min，去除表面杂质后，再对靶材进行溅射，即得锑掺杂氧化锡薄膜；

(4)将(3)步骤所得薄膜放入热处理炉中，在温度为300～450℃，保温0.5～3小时的条件下进行热处理，之后将样品冷却至室温；

(5)将(4)步骤所得薄膜样品放入浓度为2～4M的NaOH溶液中浸泡2～3小时，然后用无水乙醇清洗，并在40～60℃烘干，保温2～3小时；

(6)将(5)步骤所得薄膜样品放入浓度为0.5～1M的3-氨丙基-三乙氧基硅烷APTES中浸泡12～24小时，用无水乙醇和去离子水清洗，在100～150℃保温3～4小时后冷却至室温；

(7)将(6)步骤所得薄膜样品在质量浓度为8～12％的戊二醛溶液中浸泡1～2小时，然后用去离子水清洗，40～60℃烘干，保温时间2～3小时，冷却至室温，即得醛基修饰的基因芯片用锑掺杂氧化锡薄膜载体材料。

2、按权利要求1所述的锑掺杂氧化锡薄膜载体材料的制备方法，其特征在于所述步骤(1)中锑掺杂氧化锡溅射靶材的制备是：将纯度为99.99％的氧化锑Sb₂O₃和氧化锡SnO₂粉末压制成坯后，经1300～1400℃烧结而成，靶材中Sb₂O₃的质量百分含量为4～10％，其余为SnO₂。

3、按权利要求1所述的锑掺杂氧化锡薄膜载体材料的制备方法，其特征在于所述步骤(3)中的薄膜溅射工艺条件是：溅射室本底真空度为1×10^-4Pa，溅射功率100～400W，溅射过程中，控制溅射室内氩气压为0.4～1Pa，氧气分压为0.5～1.5Pa，衬底温度20～100℃，溅射时间15～50min。

4、按权利要求1所述的锑掺杂氧化锡薄膜载体材料的制备方法，其特征在于所述步骤(4)中的热处理气氛为空气或真空。

5、按权利要求1所述的锑掺杂氧化锡薄膜载体材料的制备方法，其特征在于所述步骤(5)中的2～4M的NaOH溶液采用浓度为95％的乙醇配制而成。

6、按权利要求1所述的锑掺杂氧化锡薄膜载体材料的制备方法，其特征在于所述步骤(6)中的0.5～1M的3-氨丙基-三乙氧基硅烷溶液采用浓度为95％的乙醇配制而成。

7、按权利要求1所述的锑掺杂氧化锡薄膜载体材料的制备方法，其特征在于所述步骤(7)中的质量浓度为8～12％的戊二醛溶液采用去离子水配制而成。