[发明专利]用于X射线曝光的光刻掩模结构及其制备方法

权利要求书

1、一种用于X射线曝光的光刻掩模结构，其特征在于，该结构由低原子序数金属薄膜、聚酰亚胺薄膜和高原子序数金属吸收体图形自下而上依次构成。

2、根据权利要求1所述的用于X射线曝光的光刻掩模结构，其特征在于，所述聚酰亚胺薄膜为镂空薄膜，所述低原子序数金属薄膜形成于该镂空聚酰亚胺薄膜的背面，所述高原子序数金属吸收体图形形成于该镂空聚酰亚胺薄膜的正面。

3、根据权利要求1所述的用于X射线曝光的光刻掩模结构，其特征在于，所述低原子序数金属薄膜为铝膜，厚度为100至200纳米。

4、根据权利要求1所述的用于X射线曝光的光刻掩模结构，其特征在于，所述聚酰亚胺薄膜的厚度为1至7微米。

5、根据权利要求1所述的用于X射线曝光的光刻掩模结构，其特征在于，所述高原子序数金属吸收体图形为重金属吸收体的周期、准周期和非周期复杂图形，其中重金属为金、钨或钽，该高原子序数金属吸收体图形的厚度为300至500纳米。

6、一种制备光刻掩模结构的方法，其特征在于，该方法包括：

制备镂空的聚酰亚胺薄膜；

在该镂空聚酰亚胺薄膜的正面制备高原子序数金属吸收体图形；

在该镂空聚酰亚胺薄膜的背面淀积低原子序数金属薄膜。

7、根据权利要求6所述的制备光刻掩模结构的方法，其特征在于，所述制备镂空的聚酰亚胺薄膜的步骤包括：

在硅衬底或石英玻璃衬底上淀积一层聚酰亚胺薄膜，然后采用氢氟酸、硝酸和醋酸混合液腐蚀硅衬底，或者采用氢氟酸腐蚀石英玻璃衬底，形成厚度为1至7微米的镂空聚酰亚胺薄膜。

8、根据权利要求6所述的制备光刻掩模结构的方法，其特征在于，所述制备高原子序数金属吸收体图形的步骤包括：

采用电子束光刻、光学光刻、X射线光刻、电镀或蒸发剥离的方法在镂空聚酰亚胺薄膜的正面，制备厚度为300至500纳米的金属金、钨或钽的吸收体图形。

9、根据权利要求6所述的制备光刻掩模结构的方法，其特征在于，所述淀积低原子序数金属薄膜的步骤包括：

采用电子束蒸发或溅射的方法在镂空聚酰亚胺薄膜的背面，制备厚度为100至200纳米的金属铝膜。