[发明专利]制备超结VDMOS器件的方法

权利要求书

1.一种制备超结VDMOS器件的方法，其自征在于，该方法包括下列步骤：

步骤1、在衬底(1)上外延生长体硅(2)，对外延层(2)的表面进行场区氧化，形成场区氧化层(3)；

步骤2、经过光刻刻蚀形成有源区，在有源区氧化，LPCVD淀积多晶硅，光刻形成栅氧化层(4)区域，等离子刻蚀多晶硅(5)和氧化层，形成栅氧化层(4)；

步骤3、光刻P-区，淡硼注入，形成P阱区(7)，光刻P+区，浓硼注入，形成P+体区(6)；其中，淡硼注入的剂量是5E13cm^-2，注入能量为40kev，浓硼注入的剂量是2E15cm^-2，注入能量是45Kev；

步骤4、淀积氮化硅硬掩模层(9)，氮化硅光刻，高能硼注入，形成外延层中的P-柱(8)；其中，高能硼注入能量达到2至4Mev，剂量从1e12cm^-2到1e13cm^-2；

步骤5、高温度推进，使结深控制在X_jp＝2μm；其中，高温推进温度为1050度，时间为100分钟，气氛为N₂；

步骤6、光刻并进行浓磷注入，对多晶硅和器件源区进行掺杂，形成VDMOS器件源区(11)，并通过扩散形成器件有效的MOS沟道区；其中浓磷注入剂量是5.5E14cm^-2，注入能量是90Kev；

步骤7、PECVD淀积硼磷硅玻璃(12)，并进行850度半小时回流，使器件表面平坦化；

步骤8、光刻与刻蚀接触孔，淀积金属层(13)，然后形成金属布线层，合金，并进行背面处理。

2.根据权利要求1所述的制备超结VDMOS器件的方法，其自征在于，步骤1中所述外延层(2)的厚度为10μm，外延层电阻率为4Ω·cm。

3.根据权利要求1所述的制备超结VDMOS器件的方法，其特征在于，步骤2中所述栅氧化层(4)的厚度为100nm，多晶硅(5)的厚度为400nm。

4.根据权利要求1所述的制备超结VDMOS器件的方法，其特征在于，步骤4中所述PECVD氮化硅硬掩模层(9)的厚度为100nm。

5.根据权利要求1所述的制备超结VDMOS器件的方法，其特征在于，步骤6中所述浓磷注入剂量是5.5E14cm^-2，注入能量是90Kev，以形成VDMOS的源区(11)，双扩散形成MOS沟道，同时实现多晶硅的掺杂。

6.根据权利要求1所述的制备超结VDMOS器件的方法，其特征在于，步骤7中所述硼磷硅玻璃(12)的厚度为500nm。

7.根据权利要求1所述的制备超结VDMOS器件的方法，其特征在于，步骤8中所述金属层(13)的材料为铝硅铜，厚度为2μm，背面金属化材料为Ag，厚度为4μm。