[发明专利]取向硅钢[001]晶向偏离角α,β的测定方法有效
申请号: | 200810055801.2 | 申请日: | 2008-01-09 |
公开(公告)号: | CN101216440B | 公开(公告)日: | 2010-11-10 |
发明(设计)人: | 方建锋;田志凌;浦玉萍;霍静;张晋远;郑毅 | 申请(专利权)人: | 北京钢研高纳科技股份有限公司 |
主分类号: | G01N23/207 | 分类号: | G01N23/207;G01N13/00 |
代理公司: | 北京华谊知识产权代理有限公司 11207 | 代理人: | 范光前 |
地址: | 100081 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 取向 硅钢 001 偏离 测定 方法 | ||
1.取向硅钢[001]晶向偏离角α、β的测定方法,晶向偏离角α是指[001]晶向在轧面内偏离轧向的角度,晶向偏离角β是指[001]取向对轧向的倾角,其特征是用X射线衍射仪对硅钢片试样进行非对称X射线衍射测定,首先在固定硅钢(002)晶面的衍射角2θ的基础上,进行ω扫描获得相应的衍射图谱,取得每一峰值所对应的ω角,再依据[001]晶向偏离角α或β与ω角的关系式α或β=|ω-2θ/2|,相应确定出[001]晶向偏离角α或β。
2.根据权利要求1所述[001]晶向偏离角α、β的测定方法,其特征是将硅钢片切割成面积为(2-10)*10mm2的试片,由2~10个试片以轧制方向重叠起来、制成层叠试样,对硅钢片试样的端面进行ω扫描,来得到取向硅钢[001]晶向的偏离角度α或β分布。
3.根据权利要求2所述[001]晶向偏离角α、β的测定方法,其特征是取向硅钢片的2~10片按轧制方向重叠起来、制成层叠试样,针对硅钢片的重叠层表面和侧面进行ω扫描,扫描面积为(2-5)*10mm2,获得取向硅钢立方晶系中[001]晶向偏离角α或β分布。
4.根据权利要求1所述[001]晶向偏离角α、β的测定方法,其特征是以相应的每个α或β角度的衍射峰的相对强度为权重,对[001]晶向偏离角α或β进行加权平均,计算相应α或β角的平均值。
5.根据权利要求1、2、3所述[001]晶向偏离角α、β的测定方法,其特征是具体实施方案,选择Fe-3%Si两种规格的硅钢片,厚度分别为0.18mm和0.27mm,相应制成1号,2号层叠试样,采用荷兰Panalytical公司的X’Pert Pro MPD型衍射仪,Co靶,电压35kV,电流40mA,首先固定硅钢(002)晶面衍射角2θ=77.28°,然后,进行X射线衍射ω扫描,扫描面积为(2~5)*10mm2,获得[001]晶向偏离角α或β的分布,相应计算出1号试样α=3.6°,β=4.9°,相应平均值为4.3°,2号试样的α=5.7°,β=4.2°,相应的平均值为5.0°。
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