[发明专利]等离子体处理装置无效
| 申请号： | 200810055657.2 | 申请日： | 2008-01-04 |
| 公开（公告）号： | CN101478857A | 公开（公告）日： | 2009-07-08 |
| 发明（设计）人： | 南建辉;宋巧丽 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H05H1/46 | 分类号： | H05H1/46;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 100016北京市朝*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 等离子体 处理 装置 | ||
1、一种等离子体处理装置，包括相对应设置的射频驱动电极(25)和无源电极(22)；第一接地环(23)围绕所述无源电极(22)并与其相互绝缘，第二接地环(26)围绕所述射频驱动电极(25)并与其相互绝缘；所述射频驱动电极(25)分别连接第一射频电源(271)和第二射频电源(272)；其特征在于，所述无源电极(22)与地线之间串接第一阻抗调节元件。
2、如权利要求1所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一阻抗调节元件的阻抗连续可调。
3、如权利要求2所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一阻抗调节元件为第一可变电阻R1；所述无源电极(22)和地线之间设有与所述第一可变电阻R1串联的第一滤波电路(281)；所述第一滤波电路(281)的通频带可调，以便选择所述第一射频电源(271)和第二射频电源(272)中至少一者的射频电流通过，或者两者都不通过。
4、如权利要求3所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一滤波电路(281)包括由第一可变电容C1、第一电感L1串联而成的第一支路，以及由第二可变电容C2、第二电感L2串联而成的第二支路；所述第一支路和第二支路相并联。
5、如权利要求1至4中任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第一接地环(23)和第二接地环(26)中至少一者与地线之间串接第二阻抗调节元件。
6、如权利要求5所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第二阻抗调节元件的阻抗连续可调。
7、如权利要求6所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第二阻抗调节元件为第二可变电阻R2；所述第一接地环(23)和/或第二接地环(26)与地线之间设有第二滤波电路(282)；所述第二滤波电路(282)与所述第二可变电阻R2串接，且其通频带可调，以便选择所述第一射频电源(271)和第二射频电源(272)中至少一者的射频电流通过，或者两者都不通过。
8、如权利要求7所述的等离子体处理装置，其特征在于，所述第二滤波电路(282)包括由第三可变电容C3、第三电感L3串联而成的第三支路，以及由第四可变电容C4、第四电感L4串联而成的第四支路；所述第三支路与第四支路相并联。
9、如权利要求1至8任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，具体为等离子体刻蚀装置。
10、如权利要求1至8任一项所述的等离子体处理装置，其特征在于，具体为等离子体淀积装置。
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