[发明专利]一种铜表面功能材料及制备方法无效

专利信息
申请号: 200810055275.X 申请日: 2008-06-30
公开(公告)号: CN101306591A 公开(公告)日: 2008-11-19
发明(设计)人: 李运刚;方秀君;李魁猛;粱精龙;李智慧 申请(专利权)人: 河北理工大学
主分类号: B32B15/04 分类号: B32B15/04;B32B5/14;B32B9/00;C25C3/00;C23C8/20
代理公司: 石家庄冀科专利商标事务所有限公司 代理人: 周晓萍;曹淑敏
地址: 063009*** 国省代码: 河北;13
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摘要:
搜索关键词: 一种 表面 功能 材料 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种铜表面功能材料,其特征在于:它以金属Cu为基体,材料最外层为SiC,其 Cu与SiC之间为Si含量逐渐升高的Cu-Si梯度分布层,所述材料是按照如下步骤制作的:

a.配制熔盐:选取NaCl、KCl、NaF为介质,其中三组元的摩尔比NaCl∶KCl∶NaF 为1∶1∶3.5,加入占上述熔盐介质质量百分数的10%的粉状SiO2,将上述四种物质混均, 盛入高纯石墨坩锅,放入电炉内升温至800℃~900℃,恒温时间10~20min;

b.电解制备Cu-Si梯度层:取铜基材料为阴极、取含硅80~90%的Cu-Si合金为阳 极放入坩锅,在温度800℃~900℃下脉冲电流给电,电解沉积Cu-Si合金120min~180min, 平均电流密度开始为40mA·cm-2、终了为90mA·cm-2,平均分割电沉积总时间为数个时间 段,每隔一个时间段平均电流密度升高一个相同值,直至达到电沉积的总时间止,即可在 铜基材料上得到Si含量逐渐升高的Cu-Si梯度层;

c.Cu-Si梯度层表面SiC的形成:从熔盐中取出经过上述过程处理的铜基材料,放入 碳化炉中,在惰性气体保护下,控制温度1000℃,碳化120min~240min;即可在铜基材 料的Cu-Si梯度层上得到SiC层;

d.材料冷却:碳化炉降温至室温后,取出已制备的材料。

2.根据权利要求1所述的Cu表面功能材料,其特征在于:所述梯度分布层厚度为 200μm~300μm,SiC层厚度20μm~35μm。

3.根据权利要求1或2所述的铜表面功能材料的制备方法,其特征在于:它按照下 述步骤进行:

a.配制熔盐:选取NaCl、KCl、NaF为介质,其中三组元的摩尔比NaCl∶KCl∶NaF 为1∶1∶3.5,加入占上述熔盐介质质量百分数的10%的粉状SiO2,将上述四种物质混均, 盛入高纯石墨坩锅,放入电炉内升温至800℃~900℃,恒温时间10~20min;

b.电解制备Cu-Si梯度层:取铜基材料为阴极、取含硅80~90%的Cu-Si合金为阳 极放入坩锅,在温度800℃~900℃下脉冲电流给电,电解沉积Cu-Si合金120min~180min, 平均电流密度开始为40mA·cm-2、终了为90mA·cm-2,平均分割电沉积总时间为数个时间 段,每隔一个时间段平均电流密度升高一个相同值,直至达到电沉积的总时间止,即可在 铜基材料上得到Si含量逐渐升高的Cu-Si梯度层;

c.Cu-Si梯度层表面SiC的形成:从熔盐中取出经过上述过程处理的铜基材料,放入 碳化炉中,在惰性气体保护下,控制温度1000℃,碳化120min~240min;即可在铜基材 料的Cu-Si梯度层上得到SiC层;

d.材料冷却:碳化炉降温至室温后,取出已制备的材料。

4.根据权利要求3所述的铜表面功能材料的制备方法,其特征在于:上述b步骤中, 平均分割电沉积总时间为六个时间段,每隔一个时间段平均电流密度升高10mA·cm-2

5.根据权利要求3所述的铜表面功能材料的制备方法,其特征在于:上述c步骤中, 从熔盐中取出经过处理的铜基材料时,需在惰性气体的保护下进行;所述d步骤中,继续 在惰性气体的保护下,控制碳化炉以≤10℃/min降温速度降温至室温。

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