[发明专利]深紫外光刻制作“T”型栅的方法

权利要求书

1.一种深紫外光刻制作“T”型栅的方法，其特征在于：该方法包括下面步骤：

步骤1、清洗衬底并进行干燥，

步骤2、在干燥后的衬底上涂敷用于248nm波长的深紫外化学放大光刻胶，

步骤3、采用深紫外曝光机进行对位套刻、曝光、显影，初步形成栅根的光刻胶窗口图形，

步骤4、采用Clariant公司的RELACS^TM材料作为化学缩细溶液，对曝光显影开出的光刻胶窗口图形进行缩细处理；所述的缩细处理是将RELACS^TM材料用旋涂机旋转涂敷在栅根图形上，涂敷完成后在90摄氏度-130摄氏度温度下烘烤产生交联作用，经过溶解作用，交联的部分形成不能溶解的一层薄膜，从而进一步降低栅长，

步骤5、涂敷光刻胶电子束抗蚀剂，

步骤6、涂敷用于248nm波长的深紫外化学放大光刻胶，

步骤7、采用深紫外曝光机进行对位套刻、曝光、显影，在化学放大光刻胶上光刻出窗口，

步骤8、采用深紫外光对电子束抗蚀剂进行曝光，并显影，形成栅帽的光刻胶窗口图形，

步骤9、采用金属蒸发的方法淀积栅电极的金属，

步骤10、剥离金属、去胶，完成“T”型栅的制作。