[发明专利]可变换工作模式的CMOS图像传感器有源像素及其图像传感器有效
申请号: | 200810054040.9 | 申请日: | 2008-08-01 |
公开(公告)号: | CN101330577A | 公开(公告)日: | 2008-12-24 |
发明(设计)人: | 李斌桥 | 申请(专利权)人: | 李斌桥 |
主分类号: | H04N5/235 | 分类号: | H04N5/235;H04N5/335 |
代理公司: | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人: | 江镇华 |
地址: | 300072天津市南开区卫津*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 变换 工作 模式 cmos 图像传感器 有源 像素 及其 | ||
1.一种可变换工作模式的CMOS图像传感器,其特征在于,包括有4T/5T模式切换单元、曝光控制模块、多路选择器、行解码器和多个可变换工作模式的CMOS图像传感器有源像素,其中,所述的曝光控制模块分别连接每个CMOS图像传感器有源像素的T4选通信号、T5选通信号和复位信号(RST);所述的行解码器分别连接每个CMOS图像传感器有源像素的行选通控制线(Row);所述的多路选择器分别连接每个CMOS图像传感器有源像素的输出电压信号(Col);所述的4T/5T模式切换单元分别通过4T总线和5T总线与曝光控制模块相连;所述的4T/5T模式切换单元还通过图像传感器输出数据与多路选择器相连接;所述的有源像素的构成是:用于独立全局曝光的第五MOS管(M5)、用于4T/5T传输门的第一MOS管(M1)、用于复位的第二MOS管(M2)、用于缓冲输出的第三MOS管(M3)和用于行选通的第四MOS管(M4)组成,其中,第一MOS管(M1)的源极、第二MOS管(M2)的源极以及第三MOS管(M3)的栅极三者的连接点为存储节点(SN);所述的第五MOS管(M5)的漏极、第二MOS管(M2)的漏极和第三MOS管(M3)的漏极均连接电源的正极;所述的第三MOS管(M3)的源极连接第四MOS管(M4)的漏极,第四MOS管(M4)的源极为输出电压信号(Col),第四MOS管(M4)的栅极为行选通控制线(Row);第二MOS管(M2)的栅极为复位信号(RST);所述的第五MOS管(M5)的栅极为T5选通信号,所述的第一MOS管(M1)的栅极为T4选通信号。
2.根据权利要求1所述的可变换工作模式的CMOS图像传感器,其特征在于,所述的CMOS图像传感器有源像素在CMOS图像传感器中设置的列有2列以上,设置的行有2行以上。
3.根据权利要求1所述的可变换工作模式的CMOS图像传感器,其特征在于,所述的每个CMOS图像传感器有源像素的T5选通信号为全帧共用,T4选通信号为单行共用。
4.根据权利要求1所述的可变换工作模式的CMOS图像传感器,其特征在于,所述的4T/5T模式切换单元的切换方法包括如下步骤:
(1)读出的像素信号通过比较器与已设定好的阈值进行比较,并将其比较结果通过计数器进行计数;对计数结果进行判决,输出选通4T时序或5T时序的指令信号;
(2)若选通4T时序,则4T时序输出T5信号复位信号,使得曝光控制模块始终将T5信号维持在0;同时输出T4和RST滚筒式曝光有效信号,使得曝光控制模块输出相应的T4和RST信号,控制图像传感器像素工作在滚筒式曝光模式;
(3)若选通5T时序,则5T时序输出T5、T4和RST全局曝光有效信号,使得曝光控制模块输出相应的T5,T4和RST信号,控制图像传感器像素工作在全局曝光模式。
5.根据权利要求4所述的可变换工作模式的CMOS图像传感器,其特征在于,所述的对计数结果进行判决,是当光强大于阈值时,4T/5T模式切换单元选通5T模式;当光强小于阈值时,4T/5T模式切换单元选通4T模式。
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