[发明专利]低介电常数高Q值的高频介质陶瓷及其制备方法

权利要求书

1.一种低介电常数高Q值的高频介质陶瓷，原料组分及质量百分比含量为：MgO 20～50％、Nb₂O₅ 50～80％。

2.权利要求1的低介电常数高Q值的高频介质陶瓷的制备方法，具有如下步骤：

(1)将MgO、Nb₂O₅分别按质量百分比为20～50％及50～80％配料，按用料∶去离子水∶锆球的质量比为1∶1∶1.5的比例加入聚酯罐中，在行星式球磨机上球磨2～8小时；

(2)将球磨后的原料于红外干燥箱中烘干；

(3)将烘干的粉料在高温炉里于900-1100℃煅烧2～6小时煅烧成熔块；

(4)将此熔块再按用料∶去离子水∶锆球的质量比为1∶1∶1.5的比例球磨6～25小时，用红外烘箱烘干；

(5)在此烘干的陶瓷粉料中加入质量百分比为5％的石蜡作为粘合剂进行造粒，过筛后，再用粉末压片机以6～10MPa的压力压成生坯，将生坯于1200℃～1400℃烧结2～8小时；

(6)将所得制品上、下表面均匀地涂覆银浆，烧渗制备电极，最后焊接引线。

3.根据权利要求2的低介电常数高Q值的高频介质陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤(3)的熔块在高温炉中于1010℃煅烧5小时。

4.根据权利要求2的低介电常数高Q值的高频介质陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤(4)的球磨时间为12小时。

5.根据权利要求2的低介电常数高Q值的高频介质陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤(5)生坯直径为15mm，厚度为1～1.5mm，烧结温度为1400℃。

6.根据权利要求2的低介电常数高Q值的高频介质陶瓷的制备方法，其特征在于，所述步骤(6)涂覆银浆后的制品经840±20℃烧渗制备电极。